[發明專利]一種或非型閃存的數據擦除方法

有效

• 申請號: 201110102999.7
• 申請日: 2011-04-22
• 公開（公告）號: CN102136295A
• 公開（公告）日: 2011-07-27
• 發明（設計）人: 肖軍;孔蔚然
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: G11C16/14
• 分類號: G11C16/14
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種或非型閃存的數據擦除方法，所述或非型閃存包括多個存儲塊，每個存儲塊包含多個扇區，每個扇區包含有標識單元和數據單元，所述擦除方法包括：

1)獲取每個扇區中標識單元中記錄的默認電壓值；

2)將與默認電壓值相同的擦除電壓施加到相應的扇區上對數據單元進行擦除操作；

3)將校驗電壓施加于所述扇區，驗證所述扇區是否擦除成功，若擦除成功，則執行步驟4)，若擦除不成功，則執行步驟5)；

4)檢測擦除電壓是否與默認電壓相等，若相等，則結束擦除過程，若不相等，則修改默認電壓，使之與擦除電壓相等，并記錄修改次數，然后結束擦除過程；

5)檢測修改次數是否達到上限，若否，修改擦除電壓，并執行步驟2)，若是，則結束擦除過程，并判定擦除失敗。

2.根據權利要求1所述的或非型閃存的數據擦除方法，其特征在于，所述步驟5)中修改擦除電壓的方法是以0.1～1伏的階躍電壓為步長增加擦除電壓。

3.根據權利要求2所述的或非型閃存的數據擦除方法，其特征在于，增加擦除電壓采用均勻階躍電壓步長。

4.根據權利要求2所述的或非型閃存的數據擦除方法，其特征在于，增加擦除電壓采用非均勻階躍電壓步長。

5.根據權利要求1所述的或非型閃存的數據擦除方法，其特征在于，所述標識單元記錄包括所在扇區的默認電壓和修改次數。

6.根據權利要求1所述的或非型閃存的數據擦除方法，其特征在于，所述擦除操作針對每個扇區獨立進行。

7.根據權利要求1所述的或非型閃存的數據擦除方法，其特征在于，所述扇區的大小為512字節。