[發明專利]CMOS圖像傳感器及其形成方法

有效

• 申請號: 201110102997.8
• 申請日: 2011-04-22
• 公開（公告）號: CN102201421A
• 公開（公告）日: 2011-09-28
• 發明（設計）人: 吳小利
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H04N5/374
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種CMOS圖像傳感器，包括：p型半導體基底，其特征在于，還包括：

位于所述p型半導體基底內的n型阱；

位于所述n型阱內的p型阱；

位于所述p型阱內的淺溝槽，以及位于所述淺溝槽底面和側面的第一介質層和位于所述第一介質層表面的第一電極層。

2.依據權利要求1所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述n型阱的摻雜濃度為1e16-1e17離子/立方厘米。

3.依據權利要求1所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述n型阱的摻雜離子為磷離子或者砷離子。

4.依據權利要求1所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述p型阱的摻雜濃度為5e16-5e17離子/立方厘米。

5.依據權利要求1所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述淺溝槽的深度為1-3um。

6.依據權利要求1所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述淺溝槽的寬度為0.2-0.8um。

7.依據權利要求1所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述第一介質層的材料是二氧化硅。

8.依據權利要求6所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述第一介質層的厚度為50-250埃。

9.依據權利要求1所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述電極層的材料是多晶硅。

10.依據權利要求1所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于，還包括：位于所述第一電極層表面的第二介質層，以及位于所述第二介質層表面，且填充滿所述淺溝槽的第二電極層。

11.依據權利要求10所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述第二電極層的材料是多晶硅。

12.依據權利要求10所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述第二介質層的材料是二氧化硅。

13.依據權利要求10所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于，還包括：

驅動晶體管，所述驅動晶體管的柵極與第一電極層電連接，源極與第二電極層電連接；

選擇晶體管，所述選擇晶體管的源極與驅動晶體管的漏極電連接；

讀出主線，所述讀出主線與選擇晶體管的漏極電連接。

14.依據權利要求1至9中任意一項的所述CMOS圖像傳感器的形成方法，其特征在于，包括：

提供p型半導體基底；

在所述p型半導體基底內形成n型阱；

在所述n型阱內形成p型阱；

在所述p型阱內形成淺溝槽；

在所述淺溝槽的底面和側面形成第一介質層；

在所述第一介質層表面形成第一電極層。

15.依據權利要求14所述CMOS圖像傳感器的形成方法，其特征在于，還包括：在所述第一電極層表面形成第二介質層；

在所述第二介質層表面形成填充滿所述淺溝槽的第二電極層。