[發明專利]一種磁流體填充光子晶體光纖F-P磁場傳感器

無效

• 申請號: 201110102799.1
• 申請日: 2011-04-25
• 公開（公告）號: CN102221679A
• 公開（公告）日: 2011-10-19
• 發明（設計）人: 趙勇;張亞男
• 申請（專利權）人: 東北大學
• 主分類號: G01R33/032
• 分類號: G01R33/032;G02B6/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種磁流體填充光子晶體光纖F-P磁場傳感器，包括寬帶光源20、光纖耦合器21及其光纖鏈路(31、32、33、34)、折射率匹配液22、傳感器探頭23、電磁線圈18及其電流驅動系統19、光譜分析儀25、計算機24及連接電纜26和27，其特征在于：所述的傳感器探頭包括一段填充了磁流體13的光子晶體光纖12和一根標準單模光纖11；所述的光子晶體光纖的一端面粘結全反射鏡15，另一端面通過一個部分反射膜與單模光纖熔接在一起，構成反射式的光纖F-P干涉腔結構；在被測磁場作用下，所述的磁流體作為光纖F-P干涉腔的腔內敏感介質，其折射率將發生變化，導致輸出光譜變化，從而實現磁場檢測。

2.按照權利要求1所述的磁流體填充光子晶體光纖F-P磁場傳感器，其特征在于：所述的光子晶體光纖具有空心的空氣孔結構，光子晶體光纖的外徑尺寸和中心空氣孔直徑分別為125μm和40μm，作為F-P干涉腔內敏感介質的磁流體利用毛細管現象被填充入光子晶體光纖的40μm中心空氣孔中。

3.按照權利要求1所述的磁流體填充光子晶體光纖F-P磁場傳感器，其特征在于：所述的磁流體的材料為水基CdFe₂O₄，濃度為0.85emu/g。

4.按照權利要求1所述的磁流體填充光子晶體光纖F-P磁場傳感器，其特征在于：所述的電磁線圈在電流驅動系統控制下產生變化的待測磁場，電磁線圈的半徑為5mm，長度為60mm，匝數為500。

5.按照權利要求1所述的磁流體填充光子晶體光纖F-P磁場傳感器，其特征在于：所述的寬帶光源采用中心波長范圍從1525nm至1565nm的ASE光源。