[發(fā)明專利]測試高壓環(huán)境對標準單元庫影響的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110102756.3
• 申請日: 2011-04-22
• 公開（公告）號: CN102262213A
• 公開（公告）日: 2011-11-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳曦;張翼;程玉華
• 申請（專利權(quán)）人: 上海北京大學微電子研究院
• 主分類號: G01R31/317
• 分類號: G01R31/317
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于芯片設(shè)計領(lǐng)域，特別涉及利用高壓環(huán)境對SOI標準單元庫影響的測試方法。

背景技術(shù)

隨著集成電路的快速發(fā)展，傳統(tǒng)的硅工藝在器件理論、器件結(jié)構(gòu)以及制作工藝上出現(xiàn)了越來越多的問題：集成度的提高導致了功耗的迅速增加，柵氧化層變薄導致介質(zhì)層容易被擊穿，這些問題都嚴重制約著集成電路的發(fā)展。而SOI作為一種全介質(zhì)隔離技術(shù)，有著傳統(tǒng)體硅不可比擬的優(yōu)點。由于它采用的是全介質(zhì)隔離結(jié)構(gòu)，SOI器件的抗輻射特性好，徹底消除了體硅CMOS電路的閂鎖效應，并且SOI工藝比傳統(tǒng)的體硅面積小。

但是僅僅了解SOI器件如何進行設(shè)計、制造是不夠的。對一般IC設(shè)計者，因缺乏設(shè)計平臺與IP工具支持，讓IC設(shè)計者即使想采用此工藝也無所適從。在SOI技術(shù)形成產(chǎn)業(yè)化需要與自動化平臺相關(guān)的鏈接文件，而標準單元庫是連接集成電路設(shè)計與制造工藝之間的橋梁。所以建立一套準確的標準單元庫成為一項必要的工作。

由于SOI工藝的特殊性，SOI的高壓器件可以與普通器件生產(chǎn)在同一款芯片上，我們需要考慮高壓環(huán)境對庫單元的影響，本專利提出一種測試電路，該電路表征了高壓環(huán)境下標準單元的工作情況。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提出了一種高壓環(huán)境對標準單元庫影響的測試方法，考慮到SOI低壓與高壓器件共存的工作環(huán)境，該方法通過測量被測單元的延遲和信號的波動，實現(xiàn)對高壓環(huán)境下，測試單元工作情況的檢測。

測試芯片中設(shè)置與低壓器件不同距離的高壓器件，通過控制不同距離高壓器件的開啟，來測量其對低壓測試單元的影響，最終的測試結(jié)果對設(shè)計者有著指導作用。

考慮到高壓器件不同開啟時刻對測試單元的影響不同，如圖2高壓器件在開啟時刻1開啟會對測試單元的邏輯值有影響，高壓器件在開啟時刻2開啟影響測試單元信號的波動。設(shè)置BUF以及選擇器來控制高壓器件的開啟時刻，以達到測試的目的。

為了減少測試芯片的面積，在測試芯片設(shè)置選擇器邏輯，通過選擇器來控制測試單元的打開和關(guān)閉，以及高壓器件的開啟時刻。這種方法可以極大的減少輸入引腳個數(shù)，從而達到減少芯片面積的目的。

附圖說明

圖1是本發(fā)明實施例測試方法原理圖

圖2高壓器件不同開啟時刻對于標準單元影響示意圖

具體實施方式

1?如圖1，將不同的測試單元與輸入端口連接，通過選擇器控制信號control1選擇測試單元的輸出，將高壓模塊按照與測試單元的不同距離放置，通過選擇器control3控制不同距離高壓模塊的開啟。

2?如圖2，通過control2信號控制不同BUF的開啟，控制高壓模塊的開啟時刻。

3?Set，與input信號共同控制選擇器2來控制高壓模塊的開啟

4?使用control2控制選擇器2，選擇0個BUF，使高壓器件與待測單元同時開啟，即圖2所示的開啟時刻1。測量此時高壓信號的開啟對于測試單元邏輯值的影響。

5?使用control2控制選擇器3，選擇多個個BUF，使高壓器件在待測單元信號穩(wěn)定時刻開啟，即圖2所示的開啟時刻2。直接測量測試單元的輸出端查看信號的波動情況。