[發(fā)明專利]具有臨界電流各向異性的帶狀超導(dǎo)體有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110102632.5 | 申請日: | 2011-04-25 |
| 公開(公告)號: | CN102254619A | 公開(公告)日: | 2011-11-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | A·烏蘇斯金;K·施倫格 | 申請(專利權(quán))人: | 布魯克HTS有限公司 |
| 主分類號: | H01B12/06 | 分類號: | H01B12/06;H01B13/00 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務(wù)所 11038 | 代理人: | 高青 |
| 地址: | 德國*** | 國省代碼: | 德國;DE |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 臨界 電流 各向異性 帶狀 超導(dǎo)體 | ||
1.一種帶狀超導(dǎo)體(1),包含:
細長基板(2),尤其是金屬帶;以及
沉積在基板(2)上的尤其是HTS型材料的連續(xù)超導(dǎo)層(3),
其特征在于,
Ic||/Ic⊥≥1.5,
其中,Ic||是連續(xù)超導(dǎo)層(3)的與基板(2)平行并與基板(2)的細長方向平行的臨界電流寬度密度,以及Ic⊥是連續(xù)超導(dǎo)層(3)的與基板(2)平行并與基板(2)的細長方向垂直的臨界電流寬度密度。
2.按照權(quán)利要求1所述的帶狀超導(dǎo)體(1),其特征在于,
Ic||/Ic⊥≥3,
優(yōu)選的,Ic||/Ic⊥≥5,
最優(yōu)選的,Ic||/Ic⊥≥8。
3.按照權(quán)利要求1或2所述的帶狀超導(dǎo)體(1),其特征在于,連續(xù)超導(dǎo)層(3)呈現(xiàn)出與最大厚度(Tmax)相比,30%或更小,優(yōu)選的15%或更小,最優(yōu)選的5%或更小的最大厚度變化。
4.按照權(quán)利要求1或2所述的帶狀超導(dǎo)體(1),其特征在于,連續(xù)超導(dǎo)層(3)呈現(xiàn)出與最大厚度(Tmax)相比,至少50%,優(yōu)選的至少80%,最優(yōu)選的至少90%的與基板(2)平行并與基板(2)的細長方向垂直的厚度變化,尤其是周期性厚度變化。
5.按照前面權(quán)利要求的任何一項所述的帶狀超導(dǎo)體(1),其特征在于,連續(xù)超導(dǎo)層(3)具有50μm或更小,優(yōu)選的10μm或更小,最優(yōu)選的2μm或更小的厚度。
6.按照前面權(quán)利要求的任何一項所述的帶狀超導(dǎo)體(1),其特征在于,連續(xù)超導(dǎo)層(3)具有:
20cm或更大,優(yōu)選的1m或更大,最優(yōu)選的100n或更大的沿著基板(2)的細長方向的長度(L);以及
1.5mm或更大,優(yōu)選的4mm或更大,最優(yōu)選的12mm或更大的與基板(2)的細長方向垂直的寬度(W)。
7.按照前面權(quán)利要求的任何一項所述的帶狀超導(dǎo)體(1),其特征在于,存在安排在細長基板(2)和連續(xù)超導(dǎo)層(3)之間的至少一個緩沖層(11),
尤其是,其中,所述至少一個緩沖層(11)包含優(yōu)選的基于諸如氧化釔穩(wěn)定氧化鋯的氧化物或氮化物的介電或絕緣材料。
8.按照前面權(quán)利要求的任何一項所述的帶狀超導(dǎo)體(1),其特征在于,所述連續(xù)超導(dǎo)層(3)包含ReBa2Cu3O7-X,其中Re是Y或稀土元素。
9.按照前面權(quán)利要求的任何一項所述的帶狀超導(dǎo)體(1),其特征在于,所述超導(dǎo)體(1)包含保護層(13)和/或分流層(14)。
10.按照前面權(quán)利要求的任何一項所述的帶狀超導(dǎo)體(1),其特征在于,所述細長基板(2)是非磁性不銹鋼帶,
尤其是CrNi不銹鋼帶,以及
尤其是具有0.02mm和0.24mm之間的厚度。
11.超導(dǎo)體(1),尤其是按照權(quán)利要求1至10之一所述的超導(dǎo)體(1)的使用,
其中,所述超導(dǎo)體(1)包含沉積在基板(2)上的尤其是HTS型材料的連續(xù)超導(dǎo)層(3),
其中,在具有與基板(2)垂直的分量的交變磁場B中使用所述超導(dǎo)體(1),
其特征在于,
相對于與基板(2)平行的兩個正交方向,所述連續(xù)超導(dǎo)層(3)具有1.5或更大,尤其是3或更大,更尤其是5或更大,最尤其是8或更大的臨界電流寬度密度各向異性。
12.按照權(quán)利要求11所述的使用,其特征在于,
所述交變磁場B至少部分源自超導(dǎo)體(1)所經(jīng)受的ac電流。
13.按照權(quán)利要求11或12所述的使用,其特征在于,至少在超導(dǎo)體(1)周圍的一些區(qū)域中,交變磁場B包含與基板(2)垂直的主要分量。
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