[發明專利]一種射頻前端電路結構有效
| 申請號： | 201110102585.4 | 申請日： | 2011-04-22 |
| 公開（公告）號： | CN102170296A | 公開（公告）日： | 2011-08-31 |
| 發明（設計）人： | 劉軍華;聶楠;李琛;廖懷林 | 申請（專利權）人： | 北京大學 |
| 主分類號： | H04B1/40 | 分類號： | H04B1/40 |
| 代理公司： | 北京君尚知識產權代理事務所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 余長江 |
| 地址： | 100871*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 射頻 前端 電路 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種射頻前端電路結構，包括接收機射頻前端和發射機射頻前端，其特征在于，所述接收機射頻前端結構中的低噪聲放大器與阻抗匹配網絡之間接入第一開關管，所述低噪聲放大器與電源之間接入第二開關管；所述發射機射頻前端結構中的射頻功率放大器與阻抗匹配網絡之間接入第三開關管，所述射頻功率放大器與電源之間接入第四開關管；上述開關管的開啟由數字基帶產生的使能信號控制，所述低噪聲放大器和射頻功率放大器復用同一個片外電感，所述片外電感與接收天線連接。
2.如權利要求1所述的電路結構，其特征在于，所述低噪聲放大器由LNA?EN使能信號控制，LNA?EN為低電平，第一開關管斷路，第二開關管短路，接收機射頻前端結構處于接收狀態。
3.如權利要求1所述的電路結構，其特征在于，所述射頻功率放大器由PA?EN使能信號控制，PA?EN為低電平，第三開關管斷路，第四開關管短路，收發機射頻前端結構處于發射狀態。
4.如權利要求1或2所述的電路結構，其特征在于，所述低噪聲放大器為源簡并結構。
5.如權利要求1或3所述的電路結構，其特征在于，所述射頻功率放大器為D類結構。
6.如權利要求1或3所述的電路結構，其特征在于，所述射頻功率放大器為E類結構。
7.如權利要求1或2或3所述的電路結構，其特征在于，所述開關管為MOS管。
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