[發明專利]晶片封裝體及其形成方法

有效

• 申請號: 201110102543.0
• 申請日: 2011-04-21
• 公開（公告）號: CN102751266A
• 公開（公告）日: 2012-10-24
• 發明（設計）人: 陳秉翔;陳鍵輝;張恕銘;劉滄宇;何彥仕
• 申請（專利權）人: 精材科技股份有限公司
• 主分類號: H01L25/00
• 分類號: H01L25/00;H01L25/065;H01L21/98;H01L21/78
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

技術領域

本發明有關于晶片封裝體及其形成方法，特別是有關于堆疊有至少兩晶片的晶片封裝體及其形成方法。

背景技術

晶片封裝制程是形成電子產品過程中的一重要步驟。晶片封裝體除了將晶片保護于其中以免受外界環境污染外，還提供晶片內部電子元件與外界的電性連接通路。

由于晶片尺寸與厚度的持續縮小化，晶片封裝體的制程難度隨之提升。避免晶片于封裝制程中受到損壞并提高晶片封裝體的可靠度與結構穩定性已成為重要課題。

發明內容

本發明提供一種晶片封裝體，包括：一第一晶片；一第二晶片，設置于該第一晶片之上，其中該第二晶片的一側面為一化學蝕刻表面；以及一連結塊體，設置于該第一晶片與該第二晶片之間而使該第一晶片與該第二晶片彼此連結。

本發明所述的晶片封裝體，該第一晶片的厚度大于該第二晶片的厚度。

本發明所述的晶片封裝體，該第一晶片的一側面為一切割表面。

本發明所述的晶片封裝體，該第二晶片的該側面的粗糙度小于該第一晶片的一側面的粗糙度。

本發明所述的晶片封裝體，該第二晶片的該側面的粗糙度大于該第一晶片的一側面的粗糙度。

本發明所述的晶片封裝體，該第一晶片的一側面為一化學蝕刻表面。

本發明所述的晶片封裝體，該連結塊體的最靠近該第二晶片的該側面的一側面與該第二晶片的該側面共平面。

本發明所述的晶片封裝體，該連結塊體的最靠近該第二晶片的該側面的一側面不與該第二晶片的該側面共平面。

本發明所述的晶片封裝體，該第一晶片的寬度大于該第二晶片的寬度。

本發明所述的晶片封裝體，還包括：一保護層，設置于該第二晶片之上；以及一導電凸塊，設置于該第二晶片之上，且穿過該保護層而與該第二晶片上的一導電區電性連接。

本發明提供一種晶片封裝體的形成方法，包括：提供一第一基底；提供一第二基底；于該第一基底的一上表面及/或該第二基底的一下表面上形成至少一連結塊體；通過該連結塊體而將該第二基底接合于該第一基底之上；于該第二基底的一上表面上形成一保護層，該保護層具有一開口，該開口露出該第二基底的一預定切割區；以該保護層為掩膜，蝕刻移除該第二基底位于該預定切割區之中的部分以形成露出該第一基底的一穿孔；以及部分移除該穿孔所露出的該第一基底以形成至少一晶片封裝體。

本發明所述的晶片封裝體的形成方法，部分移除該穿孔所露出的該第一基底以形成至少一晶片封裝體的步驟包括使用一切割刀片將該第一基底切穿。

本發明所述的晶片封裝體的形成方法，該切割刀片的寬度小于該預定切割區的寬度。

本發明所述的晶片封裝體的形成方法，部分移除該穿孔所露出的該第一基底以形成至少一晶片封裝體的步驟包括以蝕刻制程移除該第一基底而使該第一基底分離為多個部分。

本發明所述的晶片封裝體的形成方法，該連結塊體延伸進入該預定切割區之中。

本發明所述的晶片封裝體的形成方法，該連結塊體不延伸進入該預定切割區。

本發明所述的晶片封裝體的形成方法，該連結塊體的一側面與該預定切割區的一邊界共平面。

本發明所述的晶片封裝體的形成方法，還包括：于該第二基底之上形成一第二保護層，該第二保護層具有一開口，該開口露出該第二基底上的一導電區；以及于露出的該導電區上形成一導電凸塊。

本發明所述的晶片封裝體的形成方法，該第二保護層及該導電凸塊的形成步驟進行于蝕刻移除該第二基底的步驟之后，且進行于部分移除該穿孔所露出的該第一基底以形成至少一晶片封裝體的步驟之前。

本發明所述的晶片封裝體的形成方法，還包括在形成該穿孔之后，移除該第一保護層。

本發明可使晶片封裝體具有較佳的可靠度，并可減輕封裝制程中對晶片的損壞風險。

附圖說明

圖1A-1F顯示根據本發明一實施例的晶片封裝體制程的剖面圖。

圖2A-2F顯示根據本發明一實施例的晶片封裝體制程的剖面圖。

圖3顯示根據本發明一實施例的晶片封裝體制程的剖面圖。

附圖中符號的簡單說明如下：

100：基底(晶片)；100a、100b：表面；100E：側面；102：連結塊體；102a：側面；104：導電區；106：保護層；108：穿孔；110：保護層；112：導電凸塊；130：基底(晶片)；130D：側面；140：切割刀片；R：預定切割區。

具體實施方式