[發(fā)明專利]包括激光退火的半導(dǎo)體器件制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110102116.2
• 申請(qǐng)日: 2009-04-28
• 公開（公告）號(hào): CN102176416A
• 公開（公告）日: 2011-09-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: H·舒爾澤;M·普法芬萊納;H·-P·費(fèi)爾斯?fàn)?/a>;T·古特;F·-J·尼德諾斯泰德;F·昂巴克
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 英飛凌科技奧地利有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/328
• 分類號(hào): H01L21/328;H01L21/268
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 劉金鳳;王忠忠

1.?一種半導(dǎo)體器件，包括：

包括第一表面（11）和第二表面（12）的半導(dǎo)體襯底（1），該第二表面與該第一表面相對(duì)布置；

該第一表面（11）上的至少金屬化層（13）；

接近于該第二表面（12）的至少p摻雜區(qū)（5，25）；

接近于該第二表面（12）的至少n摻雜區(qū)（6，26），其中所述p摻雜區(qū)和n摻雜區(qū)（5，25，6，26）包括位于相對(duì)于該第二表面（12）的不同深度的相應(yīng)峰值摻雜濃度；和

在所述p摻雜區(qū)和n摻雜區(qū)之間形成的pn結(jié)（J4）；

其中所述p摻雜區(qū)（5，25）當(dāng)投影到該第二表面上時(shí)是以下兩者之一：連通區(qū)，其包括完全被該p摻雜區(qū)包圍的具有n導(dǎo)電類型的部分（7，27）；和單連通區(qū)，其與該半導(dǎo)體襯底的橫向邊緣至少部分隔開。

2.?如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，p摻雜區(qū)、n摻雜區(qū)中之一或者這兩個(gè)摻雜區(qū)被激光退火。

3.?一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：

提供包括第一表面（11）和第二表面（12）的半導(dǎo)體襯底（1），該第二表面與該第一表面相對(duì)布置；

在該第一表面（11）上形成至少金屬化層（13）；

通過將第一摻雜劑引入到第二表面（12）中來形成接近于第二表面（12）的具有第一導(dǎo)電類型的至少第一摻雜區(qū)（5，25）；

通過將第二摻雜劑引入到第二表面（12）中來形成接近于第二表面（12）的具有與第一導(dǎo)電類型相反的第二導(dǎo)電類型的至少第二摻雜區(qū)（6，26），其中第一和第二摻雜區(qū)（5，25，6，26）包括位于相對(duì)于第二表面（12）的不同深度的相應(yīng)峰值摻雜濃度，其中pn結(jié)（J4）形成在第一和第二摻雜區(qū)之間；

其中，第一摻雜區(qū)（5，25）在投影到該第二表面上時(shí)是以下兩者之一：連通區(qū)，其包括完全被第一摻雜區(qū)包圍的具有第二導(dǎo)電類型的部分（7，27）；和單連通區(qū)，其與該半導(dǎo)體襯底的橫向邊緣至少部分隔開。

4.?如權(quán)利要求3所述的方法，還包括用于對(duì)第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)中的至少之一或者對(duì)這兩種摻雜區(qū)進(jìn)行退火的至少一次激光退火。

5.?如權(quán)利要求4所述的方法，其中所述至少一次激光退火使該第二表面（12）處的所述半導(dǎo)體襯底（1）至少部分地熔化，以激活該第一和/或第二摻雜劑。