[發(fā)明專利]測(cè)試用載體無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110102030.X | 申請(qǐng)日: | 2011-04-22 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102244027A | 公開(kāi)(公告)日: | 2011-11-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 中村陽(yáng)登;小暮吉成 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 株式會(huì)社愛(ài)德萬(wàn)測(cè)試 |
| 主分類號(hào): | H01L21/683 | 分類號(hào): | H01L21/683;H01L21/66 |
| 代理公司: | 深圳市順天達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 44217 | 代理人: | 高占元 |
| 地址: | 日本東京都練*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 測(cè)試 載體 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及為了測(cè)試在晶粒芯片上形成的集成電路元件等電子電路元件而臨時(shí)封裝該晶粒的測(cè)試用載體。
背景技術(shù)
作為臨時(shí)封裝裸芯片狀態(tài)的半導(dǎo)體芯片的測(cè)試用載體,已知的是,在相比戶外空氣減壓的氣氛中將半導(dǎo)體芯片插入蓋體和基體之間(例如參照專利文獻(xiàn)1)。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn):
專利文獻(xiàn)1特開(kāi)平7-263504號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題
上述測(cè)試用載體中,由于利用外界大氣壓使半導(dǎo)體芯片的電極和蓋體的電極接觸,故要求蓋體和基體之間形成的容納空間有高的氣密性。
本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供可確保高氣密性的測(cè)試用載體。
解決技術(shù)問(wèn)題的技術(shù)手段
本發(fā)明的測(cè)試用載體,包括將電子元件夾在中間相互粘合在一起的第1部件和第2部件,其特征在于,所述第1部件可透過(guò)紫外線。
上述發(fā)明中,所述第2部件不透過(guò)紫外線亦可。
另外,本發(fā)明的測(cè)試用載體,包括將電子元件夾在中間相互粘合在一起的第1部件和第2部件,其特征在于,所述第1部件具有可透過(guò)紫外線的第1薄膜和中央形成第1開(kāi)口并且可透過(guò)紫外線、貼有所述第1薄膜的第1框架。
上述發(fā)明中,所述第2部件具有第2薄膜和中央形成第2開(kāi)口并且貼有第2薄膜的第2框架,所述電子元件介于所述第1薄膜和所述第2薄膜之間亦可。
上述發(fā)明中,所述第2薄膜不透過(guò)紫外線亦可。
上述發(fā)明中,所述第1開(kāi)口和所述第2開(kāi)口中的一個(gè)比另一個(gè)小亦可。
上述發(fā)明中,所述第2部件具有第2薄膜,所述電子元件介于所述第1薄膜和所述第2薄膜之間亦可。
上述發(fā)明中,所述第2薄膜不透過(guò)紫外線亦可。
上述發(fā)明中,所述第2部件具有平板狀的剛性板,所述電子元件介于所述第1薄膜和所述剛性板之間亦可。
上述發(fā)明中,所述剛性板不透過(guò)紫外線亦可。
另外,本發(fā)明的測(cè)試用載體,包括將電子元件夾在中間相互粘合在一起的第1部件和第2部件,其特征在于,所述第1部件具有可透過(guò)紫外線的第1薄膜。
上述發(fā)明中,所述第2部件具有第2薄膜,所述電子元件介于所述第1薄膜和所述第2薄膜之間亦可。
上述發(fā)明中,所述第2薄膜不透過(guò)紫外線亦可。
上述發(fā)明中,所述第2部件具有平板狀的剛性板,所述電子元件介于所述第1薄膜和所述剛性板之間亦可。
上述發(fā)明中,所述剛性板不透過(guò)紫外線亦可。
上述發(fā)明中,所述電子元件是從半導(dǎo)體晶圓切割而成的晶粒亦可。
上述發(fā)明中,所述第1部件和所述第2部件通過(guò)紫外線固化型粘合劑粘合在一起亦可。
上述發(fā)明中,所述第1部件和所述第2部件之間形成的、容納所述電子元件的容納空間與戶外大氣相比減壓亦可。
上述發(fā)明中,所述第2部件和所述第1部件中的一個(gè)比另一個(gè)大,所述第2部件和所述第1部件中的一個(gè)在與另一個(gè)的貼合面上具有外露部分亦可。
發(fā)明的有益效果
本發(fā)明中,由于第1部件可透過(guò)紫外線,所以能夠可靠地使粘合第1部件和第2部件的粘合劑固化,從而能夠確保高氣密性。
附圖說(shuō)明
圖1是示出本發(fā)明第1實(shí)施方式的器件制造工藝一部分的流程圖;
圖2是本發(fā)明第1實(shí)施方式的測(cè)試用載體的分解斜視圖;
圖3是本發(fā)明第1實(shí)施方式的測(cè)試用載體的截面圖;
圖4是本發(fā)明第1實(shí)施方式的測(cè)試用載體的分解截面圖;
圖5是圖3中V部的放大圖;
圖6是圖4中VI部的放大圖;
圖7是示出本發(fā)明第1實(shí)施方式的測(cè)試用載體的基部部件的平面圖;
圖8是示出本發(fā)明第1實(shí)施方式的布線圖案的變型實(shí)例的平面圖;
圖9是示出本發(fā)明第1實(shí)施方式的測(cè)試用載體的第1變型實(shí)例的分解截面圖;
圖10是示出本發(fā)明第1實(shí)施方式的測(cè)試用載體的第2變型實(shí)例的分解截面圖;
圖11是示出本發(fā)明第1實(shí)施方式的測(cè)試用載體的第3變型實(shí)例的分解截面圖;
圖12是示出本發(fā)明第1實(shí)施方式的測(cè)試用載體的第4變型實(shí)例的分解截面圖;
圖13是示出本發(fā)明第1實(shí)施方式的測(cè)試用載體的第5變型實(shí)例的分解截面圖;
圖14是示出本發(fā)明第1實(shí)施方式的測(cè)試用載體的第6變型實(shí)例的分解截面圖;
圖15是示出本發(fā)明第2實(shí)施方式的測(cè)試用載體的截面圖;
圖16是示出本發(fā)明第3實(shí)施方式的測(cè)試用載體的截面圖;
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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