[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110101426.2 | 申請日: | 2011-04-22 |
| 公開(公告)號: | CN102751203A | 公開(公告)日: | 2012-10-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 梁心丞 | 申請(專利權(quán))人: | 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56;H01L21/60;H01L23/485;H01L23/28 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 封裝 結(jié)構(gòu) 及其 制作方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法。
背景技術(shù)
芯片封裝的目的在于保護(hù)裸露的芯片、降低芯片接點的密度及提供芯片良好的散熱。常見的封裝方法是透過引線接合(wire?bonding)、倒裝接合(flipchip?bonding)或引腳搭接(Tape?Automated?Bonding,TAB)等方式將芯片連接至封裝載具(package?carrier),其中封裝載具例如是引線框架(leadframe)、線路硬板(wired?rigid?substrate)或線路軟板(wired?flexible?substrate)等。因此,芯片上的多個接點將可通過封裝載具來重新分布,以符合下一層級元件的接點分布。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及制作方法,用以降低成本。
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及制作方法,用以降低制造過程中薄板造成板彎影響半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)制作。
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu),用以降低整體厚度。
本發(fā)明提出一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)制造方法。提供平板、第一導(dǎo)電層及第二導(dǎo)電層,其中第一導(dǎo)電層配置在平板上,第二導(dǎo)電層配置在第一導(dǎo)電層上,而第二導(dǎo)電層與第一導(dǎo)電層之間的結(jié)合強(qiáng)度小于第一導(dǎo)電層與平板之間的結(jié)合強(qiáng)度。形成介電層在平板及第二導(dǎo)電層上。形成線路結(jié)構(gòu)在介電層上。安裝至少一芯片至線路結(jié)構(gòu)。安裝支撐層至線路結(jié)構(gòu),支撐層為含有玻纖的樹脂疊層,而支撐層包覆芯片。通過施力解除第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層之間的結(jié)合,分離第一導(dǎo)電層及第二導(dǎo)電層。
本發(fā)明還提出一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu),其包括下列構(gòu)件。介電層、第一導(dǎo)電圖案、第二導(dǎo)電圖案及至少一導(dǎo)電孔,其中第二導(dǎo)電圖案與第一導(dǎo)電圖案分別配置于介電層的兩面。導(dǎo)電孔配置于介電層內(nèi),以連接第一導(dǎo)電圖案及第二導(dǎo)電圖案。第一防焊層覆蓋部分第一導(dǎo)電圖案。第二防焊層覆蓋部分第二導(dǎo)電圖案。芯片安裝至第一導(dǎo)電圖案。支撐層安裝至介電層,且包圍芯片,支撐層為含有玻纖的樹脂疊層,且支撐層包覆芯片。
為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂,下文特舉實施例,并配合附圖作詳細(xì)說明如下。
附圖說明
圖1至圖8繪示本發(fā)明的實施例的一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)制作方法。
附圖標(biāo)記說明
102:平板
104:第一導(dǎo)電層
105:樹脂層
106:第二導(dǎo)電層
108:介電層
110:線路結(jié)構(gòu)
111:第一導(dǎo)電圖案
112:導(dǎo)電孔
113:第一防焊層
116:芯片
117:凸塊
118:支撐層
120:第二導(dǎo)電圖案
122:第二防焊層
124:焊球
具體實施方式
圖1至圖8繪示本發(fā)明的實施例的一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)制作方法。請參考圖1,依照本實施例的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)制作方法,首先提供平板102。平板102的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度必須足以在整個制作過程中維持一定的表面平坦度。
在本實施例中,以雙面制作為例,即在平板102的上下兩面上來進(jìn)行制作,故下文僅以在平板102的上面上所制作的結(jié)構(gòu)來作說明。然而,在另一未繪示的實施例中,亦可采取單面制作,即僅在平板102的一面上來進(jìn)行制作。
請再參考圖1,在平板102上提供第一導(dǎo)電層104及第二導(dǎo)電層106。第一導(dǎo)電層104配置在平板102上,而第二導(dǎo)電層106配置在第一導(dǎo)電層104上。第二導(dǎo)電層106與第一導(dǎo)電層104之間的結(jié)合強(qiáng)度小于第一導(dǎo)電層104與平板102之間的結(jié)合強(qiáng)度。
在本實施例中,第一導(dǎo)電層104通過樹脂層105而固接至平板102,以提高第一導(dǎo)電層104與平板102之間的結(jié)合強(qiáng)度。
在本實施例中,第一導(dǎo)電層104與第二導(dǎo)電層106可通過在銅箔上以電鍍形成另一銅箔的方式來制作,故在后續(xù)步驟中,通過施力解除第一導(dǎo)電層104與第二導(dǎo)電層106之間的結(jié)合,分離第一導(dǎo)電層104與第二導(dǎo)電層106。
請參考圖2,形成介電層108在平板102及第二導(dǎo)電層106上。在本實施例中,介電層108的材料包括樹脂。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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