[發明專利]一種氧化鎂涂層高溫坩堝的制造方法

無效

• 申請號: 201110101410.1
• 申請日: 2011-04-22
• 公開（公告）號: CN102241527A
• 公開（公告）日: 2011-11-16
• 發明（設計）人: 王寧會;穆卓藝;林宇;潘中藝;張百平
• 申請（專利權）人: 遼寧中大超導材料有限公司
• 主分類號: C04B41/85
• 分類號: C04B41/85;C04B35/66
• 代理公司: 大連星海專利事務所 21208
• 代理人: 修德金

1.一種氧化鎂涂層高溫坩堝的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟A：在坩堝內壁涂覆一層氧化鎂粉末，經過1560℃至1600℃高溫燒結，使氧化鎂粉末侵蝕進坩堝內壁；

步驟B：再一次涂覆氧化鎂粉末，并經過高溫1500℃至1650℃高溫燒結，在已經侵蝕氧化鎂的坩堝內壁表面再形成一層燒結氧化鎂層。

2.根據權利要求1所述的氧化鎂涂層高溫坩堝的制造方法，其特征在于，所述步驟A涂覆的氧化鎂材料要求燒矢量控制在1%以內，涂層厚度在3-6mm，在100℃至200℃范圍內干燥后再經過1500℃至1650℃燒結形成燒結氧化鎂層。

3.根據權利要求1所述的氧化鎂涂層高溫坩堝的制造方法，其特征在于，所述步驟A中第一次燒結自然冷卻至30℃至50℃時再進行第二次涂敷燒結。

4.根據權利要求1所述的氧化鎂涂層高溫坩堝的制造方法，其特征在于，所述步驟A使用MgO?99.99%以上，粒度范圍在325-600目之間的高純氧化鎂粉末，加入20-30%的純水進行攪拌得到的漿料涂覆于坩堝內壁形成5-8mm厚涂層，在1500℃至1550℃范圍內進行第一次燒結，升溫至預定溫度時恒溫2小時后自然冷卻至30℃至50℃時再進行第二次涂敷燒結。

5.根據權利要求1所述的氧化鎂涂層高溫坩堝的制造方法，其特征在于，所述步驟B第二次涂敷使用MgO?99.99%以上，粒度范圍在325-600目之間的高純氧化鎂粉末，加入20-30%的純水進行攪拌得到的漿料涂覆于坩堝內壁形成3-6mm厚涂層，在1600℃至1650℃范圍內進行第二次燒結，升溫至預定溫度時恒溫1小時，完成氧化鎂涂層高溫坩堝的制造。

6.根據權利要求1所述的氧化鎂涂層高溫坩堝的制造方法，其特征在于，所述氧化鎂涂層高溫坩堝的制造方法還包括以下步驟：在兩次燒結過程中如出現涂層龜裂現象時，可用MgO?99.99%以上，粒度范圍在325-600目之間的高純氧化鎂粉末，加入20-30%的純水進行攪拌得到的漿料進行修補，尤其是第二次燒結后出現龜裂現象時，修補后的涂層不再進行高溫燒結，在氧化鎂涂層高溫坩堝裝入燒結物料進行燒結時涂層可以隨之固化。

7.根據權利要求1所述的氧化鎂涂層高溫坩堝的制造方法，其特征在于，所述坩堝本體為珍珠巖坩堝。