[發明專利]神經移植體的制備方法

有效

• 申請號: 201110101123.0
• 申請日: 2011-04-21
• 公開（公告）號: CN102614032A
• 公開（公告）日: 2012-08-01
• 發明（設計）人: 馮辰;范立;趙文美
• 申請（專利權）人: 清華大學;鴻富錦精密工業（深圳）有限公司
• 主分類號: A61F2/02
• 分類號: A61F2/02;A61L27/02;A61L27/30
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種神經移植體的制備方法，其包括以下步驟：

提供一碳納米管結構；

在所述碳納米管結構表面形成一親水層；

對所述親水層進行極性化處理，使得該親水層具有一極性化表面；

在所述親水層的極性化表面種植多個神經細胞，其中，該極性化表面具有與該多個神經細胞相反的電荷極性；以及

培養該多個神經細胞直到相鄰的神經細胞相互連接形成一神經網絡。

2.如權利要求1所述的神經移植體的制備方法，其特征在于，所述碳納米管結構包括多個碳納米管，相鄰的碳納米管之間通過范德華力相互連接。

3.如權利要求1所述的神經移植體的制備方法，其特征在于，所述碳納米管結構包括至少一碳納米管膜，所述碳納米管膜為碳納米管絮化膜、碳納米管碾壓膜或碳納米管拉膜。

4.如權利要求1所述的神經移植體的制備方法，其特征在于，所述碳納米管結構由至少一碳納米管線狀結構構成，該碳納米管線狀結構包括至少一碳納米管線，該碳納米管線為非扭轉的碳納米管線或扭轉的碳納米管線。

5.如權利要求1所述的神經移植體的制備方法，其特征在于，在所述碳納米管結構表面形成所述親水層的步驟包括采用蒸鍍法、濺射法或噴涂法在所述碳納米管結構的表面形成所述親水層。

6.如權利要求5所述的神經移植體的制備方法，其特征在于，所述親水層的材料為金屬氧化物或者氧化物半導體。

7.如權利要求5所述的神經移植體的制備方法，其特征在于，所述親水層的材料為二氧化硅、二氧化鈦或鐵的氧化物。

8.如權利要求5所述的神經移植體的制備方法，其特征在于，所述親水層的厚度大于1納米且小于等于100納米。

9.如權利要求5所述的神經移植體的制備方法，其特征在于，使得該親水層具有極性化表面的步驟包括以下步驟：采用多聚氨基酸溶液或聚醚酰亞胺溶液處理所述親水層遠離所述碳納米管結構的表面。

10.如權利要求9所述的神經移植體的制備方法，其特征在于，所述采用多聚氨基酸溶液或聚醚酰亞胺溶液處理所述親水層遠離所述碳納米管結構的表面的步驟為采用多聚氨基酸溶液或聚醚酰亞胺溶液覆蓋所述親水層遠離碳納米管結構的表面，并放置10小時以上，使得該親水層形成所述極性化表面；以及采用無菌去離子水清洗所述親水層極性化表面的多聚氨基酸溶液或聚醚酰亞胺溶液，露出所述親水層的極性化表面。

11.如權利要求10所述的神經移植體的制備方法，其特征在于，所述多聚氨基酸溶液為多聚賴氨酸溶液。

12.如權利要求9所述的神經移植體的制備方法，其特征在于，使該親水層具有所述極性化表面之前進一步包括對形成有親水層的碳納米管結構進行滅菌處理的步驟。

13.如權利要求12所述的神經移植體的制備方法，其特征在于，對形成有親水層的碳納米管結構進行滅菌處理的步驟包括采用紫外光照射形成有親水層的碳納米管結構。

14.如權利要求5所述的神經移植體的制備方法，其特征在于，使得該親水層具有極性化表面的步驟包括以下步驟：將形成有親水層的碳納米管結構置于一承載體的表面；對所述親水層進行滅菌處理；以及采用多聚氨基酸溶液或聚醚酰亞胺溶液處理所述親水層。

15.如權利要求1所述的神經移植體的制備方法，其特征在于，在所述碳納米管結構表面形成所述親水層的步驟包括：提供一承載體，并將所述碳納米管結構置于該承載體的表面；以及采用物理方法在將所述碳納米管結構遠離所述承載體的表面形成所述親水層。