[發(fā)明專利]阻變存儲器單元

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110101033.1
• 申請日: 2011-04-21
• 公開（公告）號: CN102750979A
• 公開（公告）日: 2012-10-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉琦;劉明;龍世兵;呂杭炳;謝常青
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號: G11C11/56
• 分類號: G11C11/56
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 逯長明;王寶筠

1.一種阻變存儲器單元，其特征在于，包括：

阻變存儲器和雙態(tài)電阻器，其中，所述阻變存儲器串接所述雙態(tài)電阻器，所述雙態(tài)電阻器為具有雙向非對稱整流特性的選通器件。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻變存儲器單元，其特征在于，所述阻變存儲器具有單極性阻變特性，所述雙態(tài)電阻器的第一電壓極性下的最大閾值電壓為V₁、第二電壓極性下的最大閾值電壓為V₃，所述阻變存儲器的設(shè)置電壓為V_set、重置電壓為V_reset，其中，V_set＞|V₁|，V_reset＞|V₁|，|V₃|＞|V₁|。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻變存儲器單元，其特征在于，所述阻變存儲器具有單極性阻變特性，所述雙態(tài)電阻器的第一電壓極性下的最大閾值電壓為V₁、第二電壓極性下的最大閾值電壓為V₃，所述阻變存儲器的重置電壓為V_reset，當(dāng)阻變存儲器處于低阻態(tài)時，對阻變存儲器單元加讀電壓為V_read，其中，|V₁|＜V_read＜V_reset，|V_read|＜|V₃|。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻變存儲器單元，其特征在于，所述阻變存儲器具有雙極性阻變特性，所述雙態(tài)電阻器的第一電壓極性下的最大閾值電壓為V₁、第二電壓極性下的最大閾值電壓為V₃，所述阻變存儲器的設(shè)置電壓為V_set、重置電壓為V_reset，其中，V_set＞|V₁|。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻變存儲器單元，其特征在于，所述阻變存儲器具有雙極性阻變特性，所述雙態(tài)電阻器的第一電壓極性下的最大閾值電壓為V₁、第二電壓極性下的最大閾值電壓為V₃，所述阻變存儲器的設(shè)置電壓為V_set，當(dāng)阻變存儲器處于低阻態(tài)時，對阻變存儲器單元加讀電壓為V_read，其中，|V₁|＜V_read＜V_set，|V_read|＜|V₃|。

6.一種阻變存儲器單元，其特征在于，包括：

下電極；

下電極上的n型第一半導(dǎo)體層、n型第一半導(dǎo)體層上的p型第二半導(dǎo)體層以及p型第二半導(dǎo)體層上的n型第三半導(dǎo)體層；

n型第三半導(dǎo)體層上的共用電極；

共用電極上的阻變功能層；

阻變功能層上的上電極；

其中，所述下電極、n型第一半導(dǎo)體層、p型第二半導(dǎo)體層、n型第三半導(dǎo)體層以及中間電極組成雙態(tài)電阻器，所述中間電極、阻變功能層和上電極組成阻態(tài)存儲器，所述雙態(tài)電阻器為具有雙向非對稱整流特性的選通器件。

7.根據(jù)權(quán)利要求6中所述的阻變存儲器單元，其特征在于，所述n型第一半導(dǎo)體層、p型第二半導(dǎo)體層和n型第三半導(dǎo)體層包括：Si、Ge、GaAs、InP或SiGe。

8.一種阻變存儲器單元，其特征在于，包括：

下電極；

下電極之上的阻變功能層；

阻變功能層上的共用電極；

共用電極上的n型第一半導(dǎo)體層、n型第一半導(dǎo)體層上的p型第二半導(dǎo)體層以及p型第二半導(dǎo)體層上的n型第三半導(dǎo)體層；

n型第三半導(dǎo)體層上的上電極；

其中，所述下電極、n型第一半導(dǎo)體層、p型第二半導(dǎo)體層、n型第三半導(dǎo)體層以及中間電極組成雙態(tài)電阻器，所述中間電極、阻變功能層和上電極組成阻態(tài)存儲器，所述雙態(tài)電阻器為具有雙向非對稱整流特性的選通器件。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的阻變存儲器單元，其特征在于，所述n型第一半導(dǎo)體層、p型第二半導(dǎo)體層和n型第三半導(dǎo)體層包括：Si、Ge、GaAs、InP或SiGe。