[發明專利]神經移植體

有效

• 申請號: 201110100791.1
• 申請日: 2011-04-21
• 公開（公告）號: CN102614031A
• 公開（公告）日: 2012-08-01
• 發明（設計）人: 馮辰;范立;趙文美
• 申請（專利權）人: 清華大學;鴻富錦精密工業（深圳）有限公司
• 主分類號: A61F2/02
• 分類號: A61F2/02;A61L27/02;A61L27/38;A61L27/42
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種神經移植體，其包括：

一碳納米管結構，該碳納米管結構包括多個碳納米管；

一親水層，該親水層設置在所述碳納米管結構中的至少部分碳納米管的表面，且該親水層具有一極性化表面；以及

一神經網絡，該神經網絡設置在所述極性化表面，且該極性化表面具有與所述神經網絡相匹配的極性，所述神經網絡包括多個神經細胞，該多個神經細胞相互連接。

2.如權利要求1所述的神經移植體，其特征在于，所述碳納米管結構中相鄰的碳納米管之間通過范德華力相互連接形成一自支撐結構。

3.如權利要求1所述的神經移植體，其特征在于，所述碳納米管結構包括至少一碳納米管膜，所述碳納米管膜為碳納米管絮化膜、碳納米管碾壓膜或碳納米管拉膜。

4.如權利要求3所述的神經移植體，其特征在于，所述碳納米管結構包括多個層疊設置的碳納米管膜，相鄰的碳納米管膜之間通過范德華力連接。

5.如權利要求1所述的神經移植體，其特征在于，所述碳納米管結構由至少一碳納米管線狀結構構成，該碳納米管線狀結構包括至少一碳納米管線，該碳納米管線為非扭轉的碳納米管線或扭轉的碳納米管線。

6.如權利要求1所述的神經移植體，其特征在于，所述碳納米管結構中的多個碳納米管的軸向沿同一方向擇優取向延伸且基本平行于所述碳納米管結構所在的平面。

7.如權利要求6所述的神經移植體，其特征在于，所述沿同一方向延伸的相鄰的碳納米管通過范德華力首尾相連。

8.如權利要求1所述的神經移植體，其特征在于，所述親水層設置在所述碳納米管結構中的每根碳納米管的表面。

9.如權利要求1所述的神經移植體，其特征在于，所述親水層設置在所述碳納米管結構外表面的碳納米管的表面。

10.如權利要求1所述的神經移植體，其特征在于，所述親水層的材料為具有親水性的金屬氧化物或氧化物半導體。

11.如權利要求1所述的神經移植體，其特征在于，所述親水層的材料為二氧化硅、二氧化鈦或鐵的氧化物。

12.如權利要求1所述的神經移植體，其特征在于，所述親水層的厚度大于等于1納米，且小于等于100納米。

13.一種神經移植體，其包括：

一碳納米管結構；

一親水層，該親水層設置在所述碳納米管結構的表面；以及

一神經網絡，該神經網絡設置在所述親水層遠離所述碳納米管結構的表面，且該親水層遠離所述碳納米管結構的表面具有與所述神經網絡相匹配的電荷極性，所述神經網絡包括多個神經細胞，該多個神經細胞相互連接。

14.如權利要求13所述的神經移植體，其特征在于，所述親水層的材料為二氧化硅、二氧化鈦或鐵的氧化物。

15.如權利要求13所述的神經移植體，其特征在于，所述親水層的厚度大于等于1納米且小于等于100納米。

16.如權利要求13所述的神經移植體，其特征在于，所述碳納米管結構包括多個碳納米管，所述親水層設置在部分碳納米管的表面。

17.一種神經移植體，其包括：

一基底，該基底的材料為生物降解材料或無生物毒性的材料；

一碳納米管結構，該碳納米管結構設置在所述基底的表面，該碳納米管結構包括多個碳納米管；

一親水層，該親水層設置在所述碳納米管結構中的部分碳納米管的表面；以及

多個神經細胞，該多個神經細胞設置在所述親水層的表面，且該親水層的表面具有與所述多個神經細胞相匹配的電荷極性。

18.如權利要求17所述的神經移植體，其特征在于，所述碳納米管結構為碳納米管膜狀結構。

19.如權利要求17所述的神經移植體，其特征在于，所述基底為硅膠基底。

20.一種神經移植體，其包括：

一碳納米管膜狀結構；

一親水層，該親水層設置在所述碳納米管膜狀結構的表面；以及

多個神經細胞，該多個神經細胞設置在所述親水層的表面，且通過電荷吸附在所述親水層的表面。

21.一種神經移植體，其包括：

一碳納米管結構；

一親水層，該親水層設置在所述碳納米管結構表面；

一極性層，該極性層設置在所述親水層遠離所述碳納米管結構的表面；以及

一神經網絡，該神經網絡設置在所述極性層遠離所述親水層的表面，所述神經網絡包括多個神經細胞及多個神經突起，所述多個神經細胞之間的神經突起相互連接。