[發明專利]鍍膜件的制備方法及由該方法制得的鍍膜件

無效

• 申請號: 201110100664.1
• 申請日: 2011-04-21
• 公開（公告）號: CN102747332A
• 公開（公告）日: 2012-10-24
• 發明（設計）人: 張新倍;陳文榮;蔣煥梧;陳正士;林順茂
• 申請（專利權）人: 鴻富錦精密工業（深圳）有限公司;鴻海精密工業股份有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/14
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種鍍膜件的制備方法及由該方法制得的鍍膜件。

背景技術

為在基材表面獲得合金涂層，常采用熱浸鍍或熱噴涂的方法。金屬銅(Cu)和鉬(Mo)價格低廉，性能優良，在工業上有著廣泛的應用。然而由于銅和鉬的混合熱為正值，合金熔煉的過程中銅鉬合金易發生Spinodal分解(亞穩相分解)，分解成富銅相和富鉬相；高溫急冷時，銅和鉬也會發生相分離。由于熱浸鍍或熱噴涂均需要對合金原料進行熔煉，因此采用熱浸鍍或熱噴涂的方法在基材表面較難形成穩定的銅鉬合金層。

發明內容

有鑒于此，有必要提供一種可形成穩定的銅鉬合金層的鍍膜件的制備方法。

另外，還有必要提供一種由上述方法所制得的披覆有銅鉬合金層的鍍膜件。

一種鍍膜件的制備方法，其包括如下步驟：

提供基材；

采用粉末冶金法，以金屬銅粉和鉬粉為原料制備銅鉬復合靶；

采用磁控濺射法，以上述步驟制備的銅鉬復合靶為靶材，在基材表面濺射形成銅鉬合金層。

一種鍍膜件包括基材及形成于基材上的銅鉬合金層，該銅鉬合金層采用濺射法形成。

本發明鍍膜件的制備方法在形成銅鉬合金層時，采用PVD鍍膜技術，通過制備銅鉬復合靶和對濺射溫度的控制，從而于基材表面形成超飽和的銅鉬合金層。所述鍍膜件的制備方法工藝穩定、可靠且環保。

附圖說明

圖1是本發明一較佳實施例鍍膜件的剖視圖。

圖2為本發明一較佳實施例真空鍍膜機的俯視示意圖。

主要元件符號說明

鍍膜件10基材11銅鉬合金層13真空鍍膜機20鍍膜室21銅鉬復合靶23軌跡25真空泵30

如下具體實施方式將結合上述附圖進一步說明本發明。

具體實施方式

本發明一較佳實施方式的鍍膜件10(如圖1所示)的制備方法包括如下步驟：

提供基材11，該基材11的材質可為不銹鋼或銅合金。

對基材11進行預處理。該預處理包括常規的除油、除蠟、酸洗、中和、去離子水清洗、烘干等步驟。

請參閱圖2，提供一真空鍍膜機20，該真空鍍膜機20包括一鍍膜室21及連接于鍍膜室21的一真空泵30，真空泵30用以對鍍膜室21抽真空。該鍍膜室21內設有轉架(未圖示)和相對設置的二銅鉬復合靶23。轉架帶動基材11沿圓形的軌跡25公轉，且基材11在沿軌跡25公轉時亦自轉。

所述銅鉬復合靶23中銅和鉬的質量比介于1:4和4:1之間。該銅鉬復合靶23的制備采用常規的粉末冶金的方法，使用的原料為金屬銅粉和金屬鉬粉，其中金屬銅粉的純度＞99.9%，金屬銅粉的粒徑為10～60μm；金屬鉬粉的純度＞99.9%，金屬鉬粉的粒徑為10～40μm；按上述配比將金屬銅粉及金屬鉬粉放入一球磨機(未圖示)中進行球磨120～200min，使它們混合均勻，然后取一定量的球磨后的混合物進行熱等靜壓制成一坯體，經1350～1500℃燒結3～5h，再自然冷卻即可。