[發(fā)明專利]半導體處理設備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110097992.0
• 申請日: 2011-04-19
• 公開（公告）號: CN102751170A
• 公開（公告）日: 2012-10-24
• 發(fā)明（設計）人: 張鵬
• 申請（專利權）人: 北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00
• 代理公司: 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201
• 代理人: 黃德海

1.一種半導體處理設備，其特征在于，包括：

真空腔室，所述真空腔室包括進氣口；以及

充氣氣路，所述充氣氣路與所述真空腔室的進氣口相連，用于向所述真空腔室充氣，其中所述充氣氣路包括：

快速充氣通路、慢速充氣通路以及輔助充氣通路，其中，所述快速充氣通路、慢速充氣通路和輔助充氣通路并聯連接在所述供氣源與真空腔室之間且所述快速充氣通路、慢速充氣通路和輔助充氣通路中的至少一個可導通；以及

所述輔助充氣通路上設置有氣體儲存單元，所述氣體儲存單元用于儲存氣體，所述輔助充氣通路可將所述氣體儲存單元中儲存的氣體輸送至所述真空腔室，用于輔助所述快速充氣氣路和所述慢速充氣氣路的充氣。

2.如權利要求1所述的半導體處理設備，其特征在于，所述快速充氣通路和所述慢速充氣通路的充氣速度可調節(jié)。

3.如權利要求2所述的半導體處理設備，其特征在于，所述快速充氣通路上設置有第一控制閥和調節(jié)閥，其中，所述第一控制閥設置在鄰近所述供氣源的一側，用于控制所述快速充氣通路的連通和斷開，以及

所述調節(jié)閥設置在鄰近所述真空腔室的一側，用于調節(jié)所述快速充氣通路的充氣速度。

4.如權利要求1所述的半導體處理設備，其特征在于，所述慢速充氣通路上設置有第二控制閥，所述第二控制閥用于控制所述慢速充氣通路的連通和斷開。

5.如權利要求1所述的半導體處理設備，其特征在于，所述輔助充氣通路上設置有第三控制閥和第四控制閥，其中，所述第三控制閥設置在鄰近所述供氣源的一側，第四控制閥設置在鄰近所述真空腔室的一側，所述氣體儲存單元位于所述第三控制閥和第四控制閥之間，所述第三控制閥和所述第四控制閥用于控制所述輔助充氣通路的連通和斷開。

6.如權利要求5所述的半導體處理設備，其特征在于，所述輔助充氣通路上還設置有單向閥，所述單向閥位于所述第三控制閥和所述氣體儲存單元之間，用于防止所述氣體儲存單元中的氣體逆流。

7.如權利要求1所述的半導體處理設備，其特征在于，所述充氣氣路還包括一個或兩個或三個調壓閥，其中，

當所述充氣氣路包括一個調壓閥時，所述調壓閥位于所述供氣源和所述快速充氣通路、所述慢速充氣通路以及所述輔助充氣通路之間，所述調壓閥分別與所述快速充氣通路、所述慢速充氣通路以及所述輔助充氣通路相連；

當所述充氣氣路包括兩個調壓閥時，其中一個調壓閥位于所述供氣源和所述快速充氣通路、所述慢速充氣通路以及所述輔助充氣通路的任意兩個通路之間，分別與所述快速充氣通路、所述慢速充氣通路以及所述輔助充氣通路的任意兩個相連，另一個調壓閥位于剩余的充氣通路之間；

當所述充氣氣路包括三個調壓閥時，所述每個調壓閥分別位于所述供氣源和所述每條充氣通路之間。

8.如權利要求1或7所述的半導體處理設備，其特征在于，所述充氣氣路還包括一個、兩個或三個過濾器，其中，

當所述充氣氣路包括一個過濾器時，所述過濾器位于所述快速充氣通路、所述慢速充氣通路以及所述輔助充氣通路和所述真空腔室之間且分別與所述快速充氣通路、所述慢速充氣通路以及所述輔助充氣通路相連；

當所述充氣氣路包括兩個過濾器時，其中一個過濾器位于且連接至所述快速充氣通路、所述慢速充氣通路以及所述輔助充氣通路的任意兩個通路和所述真空腔室之間，另一個過濾器位于剩余的充氣通路和所述真空腔室之間；

當所述充氣氣路包括三個過濾器時，所述每個過濾器分別位于每條充氣通路和所述真空腔室之間，用于過濾對應的充氣通路輸送至所述真空腔室的氣體。