[發明專利]陶瓷生片干燥設備和使用該干燥設備制造陶瓷生片的方法

無效

• 申請號: 201110097163.2
• 申請日: 2011-04-15
• 公開（公告）號: CN102476947A
• 公開（公告）日: 2012-05-30
• 發明（設計）人: 崔元燮;吳大福
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: C04B33/30
• 分類號: C04B33/30;C04B35/622;F26B15/12;F26B21/00;H01G4/12;H01G4/30
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 梁曉廣;關兆輝

相關申請的交叉引用

本專利申請要求于2010年11月26日在韓國知識產權局提交的韓國專利申請No.10-2010-0118909的優先權，其公開以引用方式并入本文。

技術領域

本發明涉及陶瓷生片的制造，更具體來講，涉及用于從陶瓷生片中去除溶劑的陶瓷生片干燥設備以及使用該干燥設備制造陶瓷生片的方法。

背景技術

隨著信息產業的高速發展，對小型且輕質的電子器件的需求日益增加。因此，對于各種電子組件的體積或厚度以及每單位尺寸的功能的改進的需求已顯著增加。

上述需求還應用于陶瓷電子組件，例如多層陶瓷電容器。因此，已經考慮了各種方案。例如，在多層陶瓷電容器的情況下，為了增加其電容并且減小其尺寸，可以考慮嘗試使形成多層陶瓷電容器的電介質層變薄。

然而，當電介質層變薄時，諸如產生短路和擊穿電壓降低等的問題可能導致電氣可靠性下降。為了解決由于變薄的電介質層導致的問題，必須制造無缺陷電介質層。具體來講，當電介質層非常薄時，多層陶瓷電容器的電氣特性會由于即使非常小的缺陷而顯著劣化。

為了防止缺陷，必須在燒制之前將陶瓷生片保持在無缺陷的狀態。因此，非常重要的是，開發出一種技術來在制造具有超電容的多層陶瓷電容器中制造無缺陷的超薄陶瓷生片。

也就是說，除非最大化用于電介質層的陶瓷生片的密度并且最小化由于變薄導致的缺陷的增加、強度劣化等，否則可能不能實現多層陶瓷電容器的電氣特性。

發明內容

本發明的一個方面提供了一種通過改進干燥方案來制造沒有缺陷的陶瓷生片的方法。

本發明的另一方面提供了一種用于制造無缺陷的陶瓷生片的陶瓷生片干燥設備。

根據本發明的一個方面，提供了一種制造陶瓷生片的方法，所述方法包括：通過向支撐基板施加陶瓷漿體來形成陶瓷生片；以及通過使陶瓷生片穿過多個干燥區來干燥陶瓷生片，其中正的內部壓差被施加到布置在所述多個干燥區的前端的至少一個干燥區，所述內部壓差被定義為通過從每個干燥區的引入壓力(P_in)減去其排出壓力(P_out)得到的壓力值。

可以在布置在所述多個干燥區的前端的干燥區的入口處布置被施加有負的內部壓差的空氣阻擋件。

陶瓷生片的厚度可以為2μm或更小，優選地，為1μm或更小。

0或負的內部壓差可以施加到布置在所述多個干燥區的后端的干燥區中的至少一個。

所述多個干燥區的數量可以為5個或更多，并且布置在前端并被施加有正的內部壓差的干燥區的數量可以大于布置在后端并被施加有0或負的內部壓差的干燥區的數量。

空氣流可以施加到布置在前端的干燥區的入口和布置在后端的干燥區的出口中的至少一者，以防止每個干燥區內的氣體被排出至外部。

根據本發明的另一個方面，提供了一種陶瓷生片干燥設備，其包括：支撐基板，其允許由陶瓷漿體形成的陶瓷生片在其上移動；以及多個干燥區，該多個干燥區沿著支撐基板的移動路徑布置，其中正的內部壓差被施加到布置在所述多個干燥區的前端的至少一個干燥區。

附圖說明

根據以下結合附圖的詳細描述，將更清楚地理解本發明的以上和其它方面、特征和其它優點，在附圖中：

圖1是示出可應用于本發明的示例性實施例的制造陶瓷生片的方法的流程圖；

圖2是示出根據本發明示例性實施例的陶瓷生片干燥設備的示意圖；

圖3A和圖3B是示出根據本發明的示例和比較示例獲得的陶瓷生片的剖面的掃描電鏡(SEM)圖像；以及

圖4是示出在本發明的示例和比較示例中在干燥區的壓力條件下檢測到的氣體的濃度的比較的曲線圖。

具體實施方式

將參照附圖詳細描述本發明的示例性實施例。

圖1是示出可應用于本發明的示例性實施例的制造陶瓷生片的方法的流程圖。

參照圖1，在制造陶瓷生片的工藝中，將陶瓷粉末、粘合劑和有機溶劑混合以制備陶瓷漿體(S12)。

在制備用于多層陶瓷電容器的陶瓷漿體的情況下，陶瓷粉末可以具有高介電常數。可以使用諸如聚乙烯醇縮丁醛(PVB)的材料作為粘合劑，并且可以使用乙醇作為有機溶劑。

然后，執行從陶瓷漿體中去除氣泡的脫泡操作(S14)。可以通過將陶瓷漿體放置在真空下來執行脫泡操作。例如，可以通過在真空或偽真空狀態下攪動陶瓷漿體來執行本操作。在本操作中，可以將漿體保持為具有所需的粘度范圍。