[發(fā)明專利]導(dǎo)電元件及其制造方法、配線元件、信息輸入裝置

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110096910.0
• 申請(qǐng)日: 2011-04-18
• 公開（公告）號(hào): CN102237333A
• 公開（公告）日: 2011-11-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 梶谷俊一;林部和彌;遠(yuǎn)藤惣銘
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 索尼公司
• 主分類號(hào): H01L23/498
• 分類號(hào): H01L23/498;H01L21/60
• 代理公司: 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

1.一種導(dǎo)電元件，包括：

基板，具有第一波狀面和第二波狀面；以及

導(dǎo)電層，形成在所述第一波狀面上，

其中，所述導(dǎo)電層形成導(dǎo)電圖案，并且

所述第一波狀面和所述第二波狀面滿足以下關(guān)系，

0≤(Am1/λm1)＜(Am2/λm2)≤1.8

其中，Am1是所述第一波狀面的振動(dòng)的平均振幅，Am2是所述第二波狀面的振動(dòng)的平均振幅，λm1是所述第一波狀面的平均波長(zhǎng)，以及λm2是所述第二波狀面的平均波長(zhǎng)。

2.一種導(dǎo)電元件，包括：

基板，具有第一波狀面和第二波狀面，每一個(gè)波狀面都具有不大于可見光的波長(zhǎng)的波長(zhǎng)；以及

導(dǎo)電層，形成在所述第一波狀面和所述第二波狀面中的所述第一波狀面上，

其中，所述導(dǎo)電層形成導(dǎo)電圖案，并且

所述第二波狀面的振動(dòng)的平均振幅Am2大于所述第一波狀面的振動(dòng)的平均振幅Am1。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電元件，其中，所述第一波狀面和所述第二波狀面滿足以下關(guān)系，并且

所述第二波狀面的平均波長(zhǎng)λm2不大于可見光的波長(zhǎng)，

(Am1/λm1)＝0且0＜(Am2/λm2)≤1.8。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電元件，其中，所述第一波狀面和所述第二波狀面滿足以下關(guān)系，并且

所述第一波狀面的平均波長(zhǎng)λm1不大于可見光的波長(zhǎng)，

0＜(Am1/λm1)＜(Am2/λm2)≤1.8。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電元件，其中，所述第一波狀面和所述第二波狀面滿足以下關(guān)系，并且

所述第二波狀面的平均波長(zhǎng)λm2不小于100nm，

(Am1/λm1)＝0且0＜(Am2/λm2)≤1.8。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電元件，其中，所述第一波狀面和所述第二波狀面滿足以下關(guān)系，并且

所述第一波狀面的平均波長(zhǎng)λm1和所述第二波狀面的平均波長(zhǎng)λm2均不小于100nm，

0＜(Am1/λm1)＜(Am2/λm2)≤1.8。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電元件，還包括殘留膜，所述殘留膜通過去除涂覆在所述第一波狀面以及所述第二波狀面上的所述導(dǎo)電層而部分地形成在所述第二波狀面上，

其中，所述導(dǎo)電層和所述殘留膜滿足以下關(guān)系，

S1＞S2

其中，S1是所述導(dǎo)電層的面積，S2是所述殘留膜的面積。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的導(dǎo)電元件，其中，形成在所述第一波狀面上的所述導(dǎo)電層連續(xù)地形成在所述第一波狀面上，并且形成在所述第二波狀面上的所述殘留膜不連續(xù)地形成在所述第二波狀面上。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電元件，還包括殘留膜，所述殘留膜通過去除涂覆在所述第一波狀面以及所述第二波狀面上的所述導(dǎo)電層而部分地形成在所述第二波狀面上，

其中，所述導(dǎo)電層和所述殘留膜滿足以下關(guān)系，

d1＞d2

其中，d1是所述導(dǎo)電層的厚度，d2是所述殘留膜的厚度。

10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的導(dǎo)電元件，其中，所述導(dǎo)電層的表面電阻為5000Ω/□以下，其中，□表示單位面積。

11.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的導(dǎo)電元件，其中，所述導(dǎo)電層包含從包括導(dǎo)電高聚物、金屬納米粒子和碳納米管的組中所選擇的至少一種。

12.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的導(dǎo)電元件，其中，所述導(dǎo)電層包含透明氧化物半導(dǎo)體。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的導(dǎo)電元件，其中，所述透明氧化物半導(dǎo)體為氧化銦錫或氧化鋅。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的導(dǎo)電元件，其中，所述導(dǎo)電層處于非晶相和多晶相的混合狀態(tài)。

15.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的導(dǎo)電元件，其中，所述導(dǎo)電圖案為配線圖案。

16.一種配線元件，包括根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的導(dǎo)電元件。

17.一種信息輸入裝置，包括根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的導(dǎo)電元件。

18.一種顯示裝置，包括根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的導(dǎo)電元件。

19.一種電子設(shè)備，包括根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的導(dǎo)電元件。