[發明專利]LED芯片及其制備方法

無效

• 申請號: 201110096563.1
• 申請日: 2011-04-18
• 公開（公告）號: CN102751431A
• 公開（公告）日: 2012-10-24
• 發明（設計）人: 房力
• 申請（專利權）人: 北京地調科技發展有限公司
• 主分類號: H01L33/64
• 分類號: H01L33/64;H01L33/62;H01L33/38;H01L33/14;H01L33/00
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 任默聞

1.一種LED芯片，其特征在于，所述LED芯片包括：

一導電載片，用于作為所述LED芯片的金屬襯底；

一N型接觸電極，位于所述導電載片之上；

一Ag基底層，位于所述N型接觸電極之上；

一P型接觸電極，位于所述Ag基底層之上的一開槽中；

一P型GaN基半導體層，位于所述Ag基底層之上；

一N型GaN基半導體層，位于所述P型GaN基半導體層之上，所述N型接觸電極通過所述P型GaN基半導體層的貫通孔與所述N型GaN基半導體層電氣連接。

2.如權利要求1所述LED芯片，其特征在于，所述LED芯片還包括：

一絕緣層，覆蓋所述N型接觸電極，以隔絕所述N型接觸電極與所述Ag基底層及其上的所述P型接觸電極相接觸。

3.如權利要求1所述LED芯片，其特征在于，所述N型GaN基半導體層位于發光表面的一側為粗糙的表面。

4.如權利要求1所述LED芯片，其特征在于，所述導電載片的材質包括如下的一種或者多種：銅及其合金、Si、AlN。

5.如權利要求1所述LED芯片，其特征在于，所述貫通孔為多個。

6.一種LED芯片的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

于一GaN基LED外延片上的P型GaN基半導體層表面制作一Ag基底層；

于所述Ag基底層和所述P型GaN基半導體層中刻蝕貫通孔至所述GaN基LED外延片上的N型GaN基半導體層；

制作一N型接觸電極，使所述N型接觸電極通過所述P型GaN基半導體層的貫通孔與所述N型GaN基半導體層電氣連接；

采用激光剝離藍寶石GaN襯底后，將所述GaN基LED外延片倒置于一導電載片上；

于所述Ag基底層之上制作一開槽，并于所述開槽中制作一P型接觸電極，以制作一LED芯片。

7.如權利要求6所述方法，其特征在于，所述方法還包括：

于所述Ag基底層和所述P型GaN基半導體層中刻蝕貫通孔至所述GaN基LED外延片上的N型GaN基半導體層后，制作一絕緣層覆蓋所述Ag基底層和所述貫通孔的側壁。

8.如權利要求6所述方法，其特征在于，所述方法還包括：

于所述Ag基底層之上制作一開槽，并于所述開槽中制作一P型接觸電極后，對所述N型GaN基半導體層位于發光表面的一側的表面進行表面粗化處理。

9.如權利要求6所述方法，其特征在于，所述將所述GaN基LED外延片倒置于一導電載片上，包括：

采用機械鍵合或電鍍的方式，將所述GaN基LED外延片倒置于一導電載片上。

10.如權利要求6所述方法，其特征在于，所述于所述Ag基底層和所述P型GaN基半導體層中刻蝕貫通孔至所述GaN基LED外延片上的N型GaN基半導體層，包括：

于所述Ag基底層和所述P型GaN基半導體層中刻蝕多個貫通孔至所述GaN基LED外延片上的N型GaN基半導體層。