[發明專利]鍍膜件及其制備方法無效
| 申請號： | 201110096490.6 | 申請日： | 2011-04-18 |
| 公開（公告）號： | CN102747321A | 公開（公告）日： | 2012-10-24 |
| 發明（設計）人： | 張新倍;陳文榮;蔣煥梧;陳正士;李聰 | 申請（專利權）人： | 鴻富錦精密工業（深圳）有限公司;鴻海精密工業股份有限公司 |
| 主分類號： | C23C14/06 | 分類號： | C23C14/06;C23C14/35 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 518109 廣東省深圳市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 鍍膜 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種鍍膜件，其包括基體及形成于基體表面的疏水層，其特征在于：該疏水層為非晶態的硼-碳-氮層。
2.如權利要求1所述的鍍膜件，其特征在于：所述基體的材質為金屬或非金屬。
3.如權利要求1所述的鍍膜件，其特征在于：所述疏水層的厚度為250～500nm。
4.如權利要求1所述的鍍膜件，其特征在于：所述疏水層與水的接觸角為102～110°。
5.如權利要求1所述的鍍膜件，其特征在于：所述疏水層通過磁控濺射的方式形成。
6.一種鍍膜件的制備方法，其包括如下步驟：
提供一基體；
采用磁控濺射法，以氮化硼靶為靶材，以乙炔為反應氣體，在基體表面濺鍍疏水層，該疏水層為非晶態的硼-碳-氮層。
7.如權利要求6所述的鍍膜件的制備方法，其特征在于：所述濺鍍疏水層的具體工藝參數為：所述氮化硼靶的功率為0.2～1kw，乙炔的流量為300～500sccm，以氬氣為工作氣體，氬氣的流量為300～500sccm，基體偏壓為-50～-300V，基體的溫度為150～420℃，鍍膜時間為20～60min。
8.如權利要求6所述的鍍膜件的制備方法，其特征在于：所述基體的材質為金屬或非金屬。
9.如權利要求6所述的鍍膜件的制備方法，其特征在于：所述疏水層的厚度為250～500nm。
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