[發明專利]太陽能電池元件的制備方法及利用該方法制備的太陽能電池元件

有效

• 申請號: 201110095871.2
• 申請日: 2011-04-14
• 公開（公告）號: CN102222722A
• 公開（公告）日: 2011-10-19
• 發明（設計）人: 金炳埈
• 申請（專利權）人: 金炳埈
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0352
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 張晶

1.一種太陽能電池元件的制備方法，其特征在于，所述太陽能電池元件包括：硅基板，其具有第一半導體特性，在其底面形成具有與所述第一半導體特性相同特性的一個以上的第一半導體層和與所述第一半導體特性不同的具有第二半導體特性的一個以上的第二半導體層；第一電極層和第二電極層，所述第一電級層和第二電極層分別與所述第一半導體層和所述第二半導體層電連接形成；防反射膜，其形成在所述硅基板的上表面；

所述太陽能電池元件的制備方法包括：在所述基板的上表面形成多個第一凹凸部和比所述第一凹凸部小的第二凹凸部的凹凸部形成步驟；

所述凹凸部形成步驟包括：

第一凹凸部形成步驟，用酸性水溶液蝕刻所述基板，在基板的外表面形成多個所述第一凹凸部；

第二凹凸部形成步驟，通過所述第一凹凸部形成步驟在形成了所述第一凹凸部的所述基板的上表面進行干法蝕刻，從而形成多個所述第二凹凸部。

2.根據權利要求1所述的太陽能電池元件的制備方法，其特征在于，在所述第一凹凸部形成步驟中的所述酸性水溶液包含HNO₃和HF。

3.根據權利要求2所述的太陽能電池元件的制備方法，其特征在于，所述酸性水溶液中，水溶液內的HNO₃與HF以實際質量比為1∶1～5.5∶1的比率混合。

4.根據權利要求1所述的太陽能電池元件的制備方法，其特征在于，在所述第一凹凸部形成步驟中，通過滾軸將基板移送到裝有酸性水溶液的容器中，在6～10℃的溫度下蝕刻1分鐘～10分鐘。?

5.根據權利要求1所述的太陽能電池元件的制備方法，其特征在于，在所述第一凹凸部形成步驟中，利用浸漬法在裝有酸性水溶液的容器中進行浸漬、蝕刻，在6℃～10℃溫度下蝕刻20分鐘。

6.根據權利要求1所述的太陽能電池元件的制備方法，其特征在于，在所述第一凹凸部形成步驟之前還包括用酸性水溶液或堿性水溶液去除在硅錠處切片的硅基板的損傷的基板損傷處理步驟。

7.根據權利要求1所述的太陽能電池元件的制備方法，其特征在于，在所述第一凹凸部形成步驟之后還包括：

第一清洗工序，去除在所述第一凹凸部形成步驟中產生的雜質；

次級蝕刻工序，用堿性化合物部分蝕刻殘存在所述基板的外表面上的多孔性二氧化硅；

第二清洗工序，在所述次級蝕刻工序之后，去除殘存在基板外表面上的雜質；

干燥工序，在所述第二清洗工序之后對所述基板進行干燥。

8.根據權利要求1所述的太陽能電池元件的制備方法，其特征在于，所述第二凹凸部的截面實際上呈三角形，且其靠近所述第一凹凸部的頂部的邊比其相反側的邊短。

9.根據權利要求1所述的太陽能電池元件的制備方法，其特征在于，所述硅基板為單結晶硅基板或多結晶硅基板。

10.根據權利要求1至9任一項所述的太陽能電池元件的制備方法，其特征在于，在所述第一凹凸部形成步驟之后，當把所述硅基板的外表面上要形成防反射膜的表面完全是平面狀態時的所述表面的面積設為理想面積時，在所述第一凹凸部形成步驟中被蝕刻的所述表面的實際表面積與理想面積的面積比為1.2至3.2。

11.根據權利要求1至9任一項所述的太陽能電池元件的制備方法，其特征在于，所述第一半導體特性為p型或n型中的任一種，所述第二半導體特性為n型及p型中剩余的一種。?

12.根據權利要求1至9任一項所述的太陽能電池元件的制備方法，其特征在于，包括：在進行第一凹凸部形成步驟之前形成用于保護第一半導體層及第二半導體層的凹凸部形成防止層的防止層形成步驟；在第一凹凸部形成步驟之后或在第二凹凸部形成步驟之后，去除所述凹凸部形成防止層的防止層去除步驟。

13.根據權利要求12所述的太陽能電池元件的制備方法，其特征在于，所述凹凸部形成防止層為SiNx。