[發明專利]薄膜晶體管及其制造方法

無效

• 申請號: 201110095231.1
• 申請日: 2011-04-15
• 公開（公告）號: CN102184864A
• 公開（公告）日: 2011-09-14
• 發明（設計）人: 張錫明
• 申請（專利權）人: 福建華映顯示科技有限公司;中華映管股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/77;H01L29/786;H01L29/43
• 代理公司: 福州元創專利商標代理有限公司 35100
• 代理人: 蔡學俊

1.一種薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，包括：

于一基板上形成彼此電性絕緣的一透明源極與一透明汲極；

于該基板上形成一圖案化透明氧化物半導體層而完全包覆該透明源極與該透明汲極；

于該基板上形成一閘絕緣層，至少覆蓋于該透明源極與該透明汲極之間的部分該圖案化透明氧化物半導體層；以及

于該透明源極、該透明汲極上方的該閘絕緣層上形成一透明閘極。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于：所述透明源極、該透明汲極、該透明閘極的材質是選自于：銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物及其組合，該圖案化透明氧化物半導體層的材質是選自于：氧化銦鎵鋅、氧化銦鋅、氧化銦鎵、氧化錫、?氧化鎘、?氧化鍺、氧化鎳鈷及其組合。

3.根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于：于該基板上形成該透明源極與該透明汲極的同時，更包括：于該基板上形成一畫素電極與一透明資料線，該畫素電極與該透明汲極電性連接，該透明數據線與該透明源極電性連接。

4.根據權利要求3所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于：于該基板上形成該圖案化透明氧化物半導體層而完全包覆該透明源極與該透明汲極的同時，該圖案化透明氧化物半導體層還包覆該畫素電極與該透明資料線。

5.根據權利要求3所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于：該畫素電極與該透明資料線的材質是選自于：銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物及其組合。

6.根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于：于該透明源極、該透明汲極上方的該閘絕緣層上形成該透明閘極的同時，其特征在于：更包括：于該基板上形成一透明掃描線，且該透明掃描線與該透明閘極電性連接。

7.根據權利要求6所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于：該透明掃描線的材質是選自于：銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物及其組合。

8.根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于：于該透明源極、該透明汲極上方的該閘絕緣層上形成該透明閘極之后，更包括：

于該基板上形成一圖案化保護層，具有多個接觸窗開口，曝露出該薄膜晶體管的一透明資料線的端部與一透明掃描線的端部，以使該透明掃描線與該透明數據線經由該些接觸窗開口分別電性連接到一外部驅動訊號提供源。

9.一種薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，包括：

于一基板上形成一圖案化透明氧化物半導體層；

于部分該圖案化透明氧化物半導體層上形成一圖案化蝕刻阻擋層；

于該圖案化蝕刻阻擋層的兩側分別形成彼此電性絕緣的一透明源極與一透明汲極，該透明源極、該透明汲極與該圖案化蝕刻阻擋層共同完全包覆該圖案化透明氧化物半導體層；

于該基板上形成一閘絕緣層，覆蓋該透明源極與該透明汲極；以及

于該透明源極、該透明汲極上方的該閘絕緣層上形成一透明閘極。

10.根據權利要求9所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于：該透明源極、該透明汲極與該透明閘極的材質是選自于：銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物及其組合，該圖案化透明氧化物半導體層的材質是選自于：氧化銦鎵鋅、氧化銦鋅、氧化銦鎵、氧化錫、?氧化鎘、?氧化鍺、氧化鎳鈷及其組合。

11.根據權利要求9所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于：于該圖案化蝕刻阻擋層的兩側分別形成彼此電性絕緣的該透明源極與該透明汲極的同時，更包括：于該基板上形成一畫素電極與一透明資料線，該畫素電極與該透明汲極電性連接，該透明數據線與該透明源極電性連接。

12.根據權利要求11所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于：該畫素電極與該透明資料線的材質是選自于：銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物及其組合。

13.根據權利要求9所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于：于該透明源極、該透明汲極上方的該閘絕緣層上形成該透明閘極的同時，更包括：于該基板上形成一透明掃描線，且該透明掃描線與該透明閘極電性連接。