[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110095110.7 | 申請日: | 2011-04-15 |
| 公開(公告)號: | CN102222689A | 公開(公告)日: | 2011-10-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 町田修;巖渕昭夫 | 申請(專利權(quán))人: | 三墾電氣株式會社 |
| 主分類號: | H01L29/778 | 分類號: | H01L29/778;H01L29/40;H01L27/06 |
| 代理公司: | 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人: | 李輝;黃綸偉 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 裝置 | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置,其特征在于,
該半導(dǎo)體裝置具有整流元件和晶體管,其中,
該整流元件具有:
電流路徑;
第1主電極,其配設(shè)于上述電流路徑的一端,具有整流作用;
第2主電極,其配設(shè)于上述電流路徑的另一端;以及
第1輔助電極,其配設(shè)于上述電流路徑中的上述第1主電極與上述第2主電極之間,順向電壓大于上述第1主電極,
該晶體管具有:
上述電流路徑;
第3主電極,其在上述電流路徑的上述一端沿著與上述電流路徑交叉的方向離開上述第1主電極而配設(shè);
控制電極,其圍繞上述第3主電極的周圍而配設(shè);以及
上述第2主電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,在上述整流元件和上述晶體管各自中共享上述電流路徑中的上述第2主電極與上述第1輔助電極之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,上述電流路徑中的上述第1主電極與上述第1輔助電極之間被用作上述整流元件的電流路徑,上述電流路徑中的上述第3主電極與隔著上述控制電極的上述第1輔助電極之間被用作上述晶體管的電流路徑。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,上述整流元件的上述第1主電極和上述晶體管的上述第3主電極以及上述控制電極在與上述電流路徑交叉的方向上交替地排列有多個。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,上述整流元件的上述第1主電極、上述晶體管的上述第3主電極以及上述第1輔助電極相互電連接,上述第1主電極、上述第3主電極以及上述第1輔助電極被設(shè)定為相同電位。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,上述晶體管是將二維電子氣溝道作為上述電流路徑的晶體管,上述第1主電極是隔著化合物半導(dǎo)體配設(shè)于上述二維電子氣溝道上的肖特基電極、與上述二維電子氣溝道直接連接的肖特基電極以及包含pn電極和利用了電場效應(yīng)的歐姆電極的復(fù)合電極中的任意一個,上述第1輔助電極是p型半導(dǎo)體電極或MIS型電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,該半導(dǎo)體裝置還在上述電流路徑中的上述第2主電極與上述第1輔助電極之間具有第2輔助電極,該第2輔助電極與上述第2主電極電連接,被設(shè)定為與該第2主電極相同的電位。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,該半導(dǎo)體裝置還在上述電流路徑中的上述第1輔助電極與上述第2主電極之間具有場板,該場板與上述第1輔助電極電連接,被設(shè)定為與上述第1輔助電極相同的電位。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換,并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘,例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器;半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的





