[發明專利]包含處理流體泄漏回收結構的半導體處理裝置有效
| 申請號: | 201110094366.6 | 申請日: | 2011-04-15 |
| 公開(公告)號: | CN102738034A | 公開(公告)日: | 2012-10-17 |
| 發明(設計)人: | 溫子瑛 | 申請(專利權)人: | 無錫華瑛微電子技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/00 |
| 代理公司: | 無錫互維知識產權代理有限公司 32236 | 代理人: | 王愛偉 |
| 地址: | 214135 江蘇省無*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 包含 處理 流體 泄漏 回收 結構 半導體 裝置 | ||
【技術領域】
本發明涉及半導體晶圓或相似工件的表面處理領域,特別涉及一種用于化學處理半導體晶圓表面,以及清潔、蝕刻及其它處理的裝置。
【背景技術】
晶圓是生產集成電路所用的載體。在實際生產中需要制備的晶圓具有平整、超清潔的表面,而用于制備超清潔晶圓表面的現有方法可分為兩種類別:諸如浸沒與噴射技術的濕法處理過程,及諸如基于化學氣相與等離子技術的干法處理過程。其中濕法處理過程是現有技術采用較為廣泛的方法,濕法處理過程通常包括采用適當化學溶液浸沒或噴射晶圓之一連串步驟組成。
現有技術中包含一種采用濕法處理過程對晶圓進行超清潔處理的裝置。該裝置中形成有一可以緊密接收并處理半導體晶圓的微腔室,該微腔室可處于打開狀態以供裝載與移除半導體晶圓,也可處于關閉狀態以用于半導體晶圓的處理,其中處理過程中可將化學制劑及其他流體引入所述微腔室。所述打開狀態和關閉狀態由該裝置中包含的兩個驅動裝置分別驅動構成所述微腔室的上、下兩個工作面的相對移動來實現。
但是在實際使用中發現,上述裝置還存在以下缺點:第一,所述裝置中的由兩個驅動裝置分別驅動構成所述微腔室的上、下兩個工作面的結構較為復雜,若采用一個驅動裝置驅動所述微腔室的上工作面或者下工作面也可以達到同樣效果;第二,對于不同尺寸的半導體晶圓,處理時需要更換相應的不同尺寸的微腔室組件,更換該微腔室組件時需要將整臺機器拆開,十分不方便;第三,當微腔室密封不嚴或者流通化學制劑的管道發生化學制劑泄漏時,所述裝置中相關的泄漏收集機制不夠完善;第四,所述上、下兩個工作面發生相對移動時依靠貫穿所述上、下兩個工作表面的若干根金屬立柱完成,所述立柱容易被化學處理過程中產生的高溫和/或腐蝕性的氣體所腐蝕而損壞。
因此有必要提供一種新的解決方案來解決上述問題。
【發明內容】
本發明的目的在于提供一種包含泄漏回收結構的半導體處理裝置,所述半導體處理裝置具有可收集泄漏的化學制劑的結構。
根據本發明的目的,本發明提供一種包含處理流體泄漏回收結構的半導體處理裝置,利用處理流體對半導體晶圓及相似工件進行處理,所述半導體處理裝置包括一用于緊密容納和處理半導體晶圓的微腔室,所述微腔室包括形成上工作表面和/或上周邊部分的上腔室部和形成下工作表面和/或下周邊部分的下腔室部,所述上腔室部和/或所述下腔室部可在一用于裝載和/或移除該半導體晶圓的打開位置和一用于緊密容納該半導體晶圓的關閉位置之間移動,
當上腔室部或者所述下腔室部處于關閉位置時,半導體晶圓安裝于所述上工作表面和下工作表面之間,且與所述微腔室的內壁形成有供處理流體流動的空隙,所述上腔室部和/或所述下腔室部中包括至少一個供處理流體進入所述微腔室的入口和至少一個供處理流體排出所述微腔室的出口,
其中所述下腔室部包括形成所述下工作表面和/或下周邊部分的下腔室板和容納所述下腔室板的下盒裝置,所述下盒裝置包含一用于容納所述下腔室板的無蓋空腔,所述無蓋空腔的表面包含有可導引流體最終流向同一方向的導流凹槽。
進一步地,所述導流凹槽包括排布在所述無蓋空腔的下表面的若干個傾斜角度和傾斜方式相同、互相并列的斜坡面。
進一步地,所述斜坡面的坡底位于所述側面開口處,且所述斜坡面的坡底連通于所述導流凹槽的出口。
進一步地,所述下腔室板包含一吻合與所述無蓋空腔形狀的下部和位于所述下部之上的上部,所述上部的上表面形成所述微腔室的下工作表面和/或下周邊部分。
進一步地,所述無蓋空腔的側面形成有開口,且所述無蓋空腔對應于所述下腔室板的下部的矩形邊形成有凹槽,所述下腔室板從所述側面開口沿所述凹槽滑動進入或者移出所述無蓋空腔。
進一步地,所述半導體處理裝置還包括一插件,所述插件的形狀符合所述側面開口的形狀,當所述下腔室板裝載進入所述無蓋空腔后,通過將所述插件插入所述側面開口固定所述下腔室板在所述無蓋空腔內。
進一步地,當可以移動的腔室部為上腔室部時,所述上腔室部上方還包括一驅動裝置,當所述驅動裝置產生向下的驅動力時,驅動所述上腔室部從打開位置向關閉位置移動;當所述流體驅動裝置產生向上的驅動力時,驅動所述上腔室部從關閉位置向打開位置移動;
當可以移動的腔室部為下腔室部時,所述下腔室部下方還包括一驅動裝置,當所述驅動裝置產生向上的驅動力時,驅動所述下腔室部從打開位置向關閉位置移動;當所述驅動裝置產生向下的驅動力時,驅動所述下腔室部從關閉位置向打開位置移動。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





