[發(fā)明專利]I-II-III-VI族量子點及其制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110094335.0 | 申請日: | 2011-04-15 |
| 公開(公告)號: | CN102154007A | 公開(公告)日: | 2011-08-17 |
| 發(fā)明(設計)人: | 解仁國;張杰;楊文勝 | 申請(專利權)人: | 吉林大學 |
| 主分類號: | C09K11/62 | 分類號: | C09K11/62 |
| 代理公司: | 長春吉大專利代理有限責任公司 22201 | 代理人: | 王恩遠 |
| 地址: | 130012 吉*** | 國省代碼: | 吉林;22 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | ii iii vi 量子 及其 制備 方法 | ||
技術領域
本發(fā)明屬于半導體納米材料制備技術領域。涉及通過調(diào)控溫度和組分配比制備尺寸可控、組分可調(diào)的高熒光效率、物理和化學性能穩(wěn)定的量子點。
背景技術
當半導體晶體的尺寸小到一定程度后(1~20納米),其費米能級附近的電子能級由原來的準連續(xù)狀態(tài)變?yōu)椴贿B續(xù),這一現(xiàn)象稱為量子尺寸效應。相應的其性質(zhì)主要依賴于晶體的尺寸。典型的半導體納米晶即量子點主要包括II-VI,III-V和IV-VI族。這些量子點都表現(xiàn)出明顯的量子尺寸效應,其性質(zhì)顯著不同于其體相材料。例如量子點的光學性能依賴于粒子的尺寸,其吸收和發(fā)射波長隨著尺寸的變化而變化。基于這些特殊的性能,半導體量子點在生物標記、照明、顯示器等領域有著重要應用。
膠體半導體量子點的研究工作可追溯到1982年,Brus小組首次報道了水溶性半導體量子點的制備和光學性能的研究。在這以后,一些小組相繼開展了半導體量子點的合成及性能研究工作。
I-II-III-VI族量子點由于其不含有劇毒的重金屬而受關注。同典型半導體量子點如II-VI、III-V族或者I-III-VI族量子點相比,合成I-II-III-VI族量子點的工作較少,而且現(xiàn)有技術制備出的量子尺寸在小于激子波爾半徑內(nèi)不可控且不可調(diào)。例如Lu于2009年首次報道了通過胺熱解單分子反應前體方法制備I-II-III-VI族量子點(Chem.Mater.2003,15,3142-3147))獲得的量子點尺寸從6到30納米,沒有熒光發(fā)射(J.Am.Che.Soc.2008,130,5620-5621)。目前關于I-II-III-VI族量子點無論制備方法、其性質(zhì)研究方面還無法同典型的二元和三元量子點相比。例如CdSe量子點的熒光量子效率可達80%以上,而文獻報道的I-II-III-VI族量子點由于尺寸超過激子波爾半徑?jīng)]有熒光。現(xiàn)存的I-II-III-VI族主要相關工作主要集中于制備不同晶體結構的I-II-III-VI族量子點(立方結構和六方結構),制備量子點時體系需要在真空,需進一步制備單分子反應單體(陽離子和陰離子的化合物),這些方法會為量子點合成帶來諸多不便,例如成本高、操作復雜。而且,從材料的研究方面考慮,I-II-III-VI族量子點的組成和性能關系的研究還未見諸報道,從這一意義來說,制備高熒光效率的組分可控的I-II-III-VI族量子點一直是研究的熱點。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術問題是,基于背景技術存在的問題,通過調(diào)控陽離子的活性,注入陰離子單體的辦法制備I-II-III-VI族量子點。通過調(diào)控單體組成和溫度首次獲得尺寸可控,組分可調(diào)的I-II-III-VI族量子點,量子尺寸在小于激子波爾半徑內(nèi)。進一步實驗表明,不同組分的量子點表現(xiàn)出不同的光學性質(zhì)即量子點的組成和其熒光效率密切相關。首次獲得的具有高熒光效率的I-II-III-VI族量子點。這種方法操作簡單,成本低廉,易于擴大規(guī)模生產(chǎn)。
本發(fā)明通過調(diào)控投料比制備不同材料組成的I-II-III-VI族量子點,通過調(diào)控反應組成,制備的納米晶熒光效率可達60%以上。利用本發(fā)明的方法制備的I-II-III-VI族量子點從光學性能方面可完全取代典型的CdSe量子點,基本可以滿足生物標記、照明和顯示器等領域應用需求。
本發(fā)明的量子點由I、II、III和VI族元素組成。量子點的具體組成為(AgmCu1-m)aZnb(GanIn1-n)cSd,其中6≥a>1,6≥b>1,6≥c>1,d隨著a、b和c數(shù)值變化而變化,d=(a+2b+3c)/2以滿足分子化合價的要求;I族元素為銅或/和銀,銅與銀摩爾比為1-m/m,1≥m≥0;II族元素為鋅;III族元素為銦或/和鎵,銦與鎵摩爾比為1-n/n,1≥n≥0;VI族元素為硫;量子點尺寸在激子波爾半徑內(nèi)。
本發(fā)明的量子點,粒度在1~8納米;表面配體是疏水性的有機分子,表面配體包括十八胺、油酸或/和巰醇。
本發(fā)明的量子點不含有劇毒的重金屬元素,制備的量子點顯示出良好的單分散性,通過調(diào)控量子點的尺寸和組成,其光學發(fā)光波長為450到1000納米,涵蓋了整個可見和近紅外區(qū)。本發(fā)明的量子點表面有適合的配體鈍化量子點表面,因而獲得的量子點有較高的熒光效率。
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