[發明專利]一種功率器件背面熱退火時對正面金屬圖形的保護方法

無效

• 申請號: 201110093629.1
• 申請日: 2011-04-14
• 公開（公告）號: CN102184854A
• 公開（公告）日: 2011-09-14
• 發明（設計）人: 李澤宏;張超;楊文韜;單亞東;肖璇;吳寬
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L21/331
• 分類號: H01L21/331;H01L21/324
• 代理公司: 電子科技大學專利中心 51203
• 代理人: 葛啟函

1.一種功率器件背面熱退火時對正面金屬圖形的保護方法，在完成功率器件正面制作工藝之后，先在功率器件正面金屬圖形表面涂覆一層有機硅樹脂，有機硅樹脂經預熱固化之后，再進行功率器件背面制作工藝，待背面工藝完成之后將功率器件置于能夠溶解有機硅樹脂的有機溶劑中去除有機硅樹脂。

2.根據權利要求1所述的功率器件背面熱退火時對正面金屬圖形的保護方法，其特征是，所述功率器件背面制作工藝包括背面減薄、背面雜質離子注入、背面雜質離子高溫熱退火和淀積背面金屬步驟。

3.根據權利要求2所述的功率器件背面熱退火時對正面金屬圖形的保護方法，其特征是，所述背面雜質離子高溫熱退火為高溫快速熱退火或者高溫爐退火。

4.根據權利要求3所述的功率器件背面熱退火時對正面金屬圖形的保護方法，其特征是，所述高溫快速熱退火的退火溫度為900～1100℃、退火時間為5～60秒。

5.根據權利要求3所述的功率器件背面熱退火時對正面金屬圖形的保護方法，其特征是，所述高溫爐退火的退火溫度為800～1000℃、退火時間為20～40分鐘。

6.根據權利要求1所述的功率器件背面熱退火時對正面金屬圖形的保護方法，其特征是，所述有機硅樹脂為美國Tempil公司生產的Pyromark2500，所述能夠溶解有機硅樹脂的有機溶劑為甲苯。