[發明專利]內部氣相沉積工藝

有效

• 申請號: 201110092907.1
• 申請日: 2011-04-13
• 公開（公告）號: CN102219371A
• 公開（公告）日: 2011-10-19
• 發明（設計）人: I·米莉瑟維克;M·J·N·范·斯特勞倫;J·A·哈特蘇克;E·阿爾迪
• 申請（專利權）人: 德拉克通信科技公司
• 主分類號: C03B37/018
• 分類號: C03B37/018;C03B37/025
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

技術領域

本發明涉及使用內部氣相沉積工藝制造光纖用初級預制品的方法，所述方法包括以下步驟：

i)設置具有供給側和排出側的中空玻璃基管，

ii)由加熱爐包圍至少部分的中空玻璃基管，

iii)將摻雜或未摻雜的玻璃形成氣體經由中空玻璃基管的供給側供給至中空玻璃基管的內部，

iv)創建反應區，在所述反應區中創建條件以使玻璃沉積發生在中空玻璃基管的內部，和

v)使反應區在位于中空玻璃基管的供給側附近的換向點和位于中空玻璃基管的排出側附近的換向點(reversal?point)之間沿著中空玻璃基管的長度往復移動，其中在至少部分步驟v)期間，當反應區沿排出側的方向移動時氣體流包含第一濃度的含氟化合物。

本發明進一步涉及光纖用最終預制品的制造方法。

本發明進一步涉及光纖的制造方法。

背景技術

此類方法本身是從美國專利申請US2005/0000253已知的。更具體地，所述專利申請公開了根據PCVD技術的內部氣相沉積工藝，其中玻璃基管部分或全部由沿著其圓筒體軸(cylindrical?axis)的共振腔包圍，和其中將包含O₂、SiCl₄、GeCl₄的氣體混合物供給至基管。在所述共振腔中產生局部等離子區，引起基管內部氣體混合物的組分之間的反應，形成主要摻雜有鍺的SiO_x。共振腔沿著基管的圓筒體軸往復移動，以使所述管內部用玻璃層涂布。所述美國專利申請進一步公開了以下可能性：添加氟里昂(C₂F₆)至氣體混合物，由此減少在沉積玻璃中羥基的形成。

JP56-104735涉及用于紅外線的光纖用預制品的制造方法。

US2009/0004404涉及通過內部沉積工藝制造光纖用預制品的方法。

US2005/0081566涉及棒狀預制品的制造方法，在所述方法中，在沉積工藝結束時，供給至基管內部的氟化合物的量增加至少10％的值。

光纖由芯和包圍所述芯的外層組成，其外層也稱作“覆蓋層”。

光纖的芯可以由一層或多層不同的同心層制成，這取決于需要的光學性質。至少部分芯通常具有比覆蓋層高的折射率，從而光可通過光纖、主要通過其芯輸送。

例如，對于玻璃制光纖，芯的較高折射率可通過用提高折射率的摻雜劑如鍺摻雜芯的玻璃而獲得。在玻璃中，鍺主要作為GeO₂存在。它也可以用提高折射率的摻雜劑和降低折射率的摻雜劑摻雜芯，在此情況下，設定所述摻雜劑的相對比例以獲得需要的折射率。特別地，將氟用作降低折射率的摻雜劑。

在通過光纖輸送光期間，幾個因素引起信號強度(光容量)降低。所述降低被稱作“衰減”并可以衰減系數dB/km表示。

衰減的第一原因是所謂的瑞利散射，其特別取決于光纖芯中摻雜劑的數量和類型。因為所述瑞利散射，通過芯中包含相對高量的鍺摻雜劑的光纖輸送的光信號將比通過包含相對低量的鍺摻雜劑的光纖輸送的光信號衰減得更強烈。

瑞利散射發生的程度還取決于波長。更具體地，瑞利散射的程度與λ^-4成比例，其中λ為波長。此外，通過鍺摻雜引起的瑞利散射比通過氟摻雜引起的瑞利散射強幾倍。

衰減的第二原因是在玻璃中存在雜質，這些雜質在一個或多個特定波長處吸收光。特別地，在光纖中主要作為SiOH或GeOH存在的羥基的存在是重要的，這是因為至少一個吸收波長在光纖、特別是單模光纖使用的波長范圍內。更具體地，在約1385nm的波長處觀察到吸收峰。所述吸收峰也稱作水峰或水衰減。

在其它因素中，光信號可通過光纖輸送而不放大的最大長度取決于并且受限于光信號衰減的程度。

因此，需要其中使雜質特別是羥基的量最小化的光纖。

此外，需要其中使由瑞利散射引起的衰減最小化的光纖。

發明內容

本發明的目的在于提供使用內部氣相沉積工藝制造光纖用初級預制品的方法，其中它可以影響氣相沉積工藝期間引入的羥基量。

本發明的另一目的在于提供使用內部氣相沉積工藝制造光纖用初級預制品的方法，其中基于初級預制品制造的光纖在1385nm的波長處顯示更少地衰減，并且其中不會不利地影響瑞利散射。

本發明的又一目的在于提供使用內部氣相沉積工藝制造光纖用初級預制品的方法，其中基于初級預制品制造的光纖顯示更少的瑞利衰減，并且其中不會不利影響在1385nm波長處的衰減。