[發(fā)明專利]半導(dǎo)體立體封裝構(gòu)造無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110092215.7 | 申請日: | 2011-04-13 |
| 公開(公告)號: | CN102738101A | 公開(公告)日: | 2012-10-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陳永祥 | 申請(專利權(quán))人: | 華東科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/488 | 分類號: | H01L23/488;H01L23/31 |
| 代理公司: | 北京匯澤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11228 | 代理人: | 劉淑敏 |
| 地址: | 中國臺灣高雄市*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 立體 封裝 構(gòu)造 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明是有關(guān)于半導(dǎo)體裝置,特別是有關(guān)于一種半導(dǎo)體立體封裝構(gòu)造。
背景技術(shù)
在現(xiàn)今半導(dǎo)體封裝技術(shù)中,為了達到多功能、高作動功率的需求,因而衍生出一種半導(dǎo)體封裝件互相堆棧的封裝結(jié)構(gòu)產(chǎn)品,即是堆棧式封裝層迭(stacked?package?on?package,POP),或又可稱為立體封裝(3D?package)。POP由獨立的兩個封裝組件經(jīng)封裝與測試后再以表面黏著方式迭合,以組合為一種不占用表面接合面積的高密度整合裝置,可以減少多種集成電路制程整合與單一封裝的不合格率風險,進而提高產(chǎn)品合格率。故POP封裝是一種新興的、封裝技術(shù)成熟的、且成本最低的系統(tǒng)封裝解決方案,特別適用于整合復(fù)雜的、多種的邏輯組件與內(nèi)存。
圖1是現(xiàn)有的一種半導(dǎo)體立體封裝構(gòu)造在組合之前的截面示意圖,圖2是該半導(dǎo)體立體封裝構(gòu)造在組合之后的截面示意圖。該半導(dǎo)體立體封裝構(gòu)造100包括下層的一底封裝件110以及上層的一上層封裝件120,兩者是利用表面黏著技術(shù)(surface?mount?technology,SMT)經(jīng)由焊球123焊接在一起。該底封裝件110的一第一基板111的上表面111A設(shè)置有一第一芯片112以及復(fù)數(shù)個轉(zhuǎn)接墊114,該些轉(zhuǎn)接墊114是供該些焊球123接合的接合設(shè)置。一第一封膠體115形成在該第一基板111的上表面111A并包覆該第一芯片112。該第一基板111的下表面111B形成有復(fù)數(shù)個外接端子113,以供外表面接合至一印刷電路板10。該上層封裝件120接合于該底封裝件110之上。該上層封裝件120的一第二基板121的上表面121A設(shè)置有至少一第二芯片122,一第二封膠體125形成在該第二基板121的上表面121A以包覆該第二芯片122。該些焊球123形成在該第二基板121的下表面121B。在回焊(reflowing)時該些焊球123對準并接合至下方的該些轉(zhuǎn)接墊114,以將該上層封裝件120堆棧并電性連接至該底封裝件110。在適當?shù)幕睾笢囟认拢撋蠈臃庋b件120經(jīng)由該些焊球123表面接合至該底封裝件110的該些轉(zhuǎn)接墊114。該底封裝件110經(jīng)由該些外接端子113表面接合至該印刷電路板10。
然而,如圖2所示,在熱循環(huán)試驗與實際運算等各種加熱過程中,因不同材料間的熱膨脹系數(shù)(Coefficient?of?Thermal?Expansion,CTE)差異在封裝堆棧中會產(chǎn)生應(yīng)力,特別容易引起該第一基板111的翹曲(warpage)現(xiàn)象,這會造成該些外接端子113的空焊或假焊(如圖2的空焊處113A)或是該些焊球123的焊點斷裂(如圖2的焊點斷裂處123A)等接合不良,而降低半導(dǎo)體立體封裝的可靠度。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本發(fā)明的主要目的在于提供一種半導(dǎo)體立體封裝構(gòu)造,可增進被嵌埋焊球的接合并有效減輕底封裝件的基板翹曲,以此解決現(xiàn)有POP堆棧的接合焊點斷裂而產(chǎn)生上下封裝件之間電性連接失敗的問題。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的。本發(fā)明公開一種半導(dǎo)體立體封裝構(gòu)造,包含:一底封裝件、一上層封裝件以及一異方性導(dǎo)電黏著層。該底封裝件包含一第一基板、至少一設(shè)于該第一基板的第一芯片、復(fù)數(shù)個設(shè)于該第一基板下方的外接端子以及復(fù)數(shù)個轉(zhuǎn)接墊,其中該些轉(zhuǎn)接墊設(shè)置于該第一基板的上表面周邊。該上層封裝件接合于該底封裝件之上,該上層封裝件包含一第二基板、至少一設(shè)于該第二基板的第二芯片以及復(fù)數(shù)個焊球,其中該些焊球設(shè)置于該第二基板的下表面周邊。該異方性導(dǎo)電黏著層介設(shè)于該底封裝件與該上層封裝件之間并具有一中央開口,以黏接該第一基板的該上表面周邊與該第二基板的該下表面周邊。其中,該異方性導(dǎo)電黏著層內(nèi)具有復(fù)數(shù)個導(dǎo)電粒子,其中該些焊球嵌陷于該異方性導(dǎo)電黏著層內(nèi),并包覆部分該些導(dǎo)電粒子進而接合至該些轉(zhuǎn)接墊。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進一步實現(xiàn)。
在前述的半導(dǎo)體立體封裝構(gòu)造中,該些被包覆的導(dǎo)電粒子可大致集中于該些焊球朝向該些轉(zhuǎn)接墊的下半部。
在前述的半導(dǎo)體立體封裝構(gòu)造中,該些焊球在回焊后可為細長弧狀。
在前述的半導(dǎo)體立體封裝構(gòu)造中,該異方性導(dǎo)電黏著層的厚度可大于該些焊球回焊前的高度。
在前述的半導(dǎo)體立體封裝構(gòu)造中,每一焊球可包含一被焊料包覆的柱核心。
在前述的半導(dǎo)體立體封裝構(gòu)造中,該底封裝件可包含一第一封膠體,形成于該第一基板上,以密封該第一芯片,并且該上層封裝件包含一第二封膠體,形成于該第二基板上,以密封該第二芯片。
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