[發(fā)明專(zhuān)利]具有在探測(cè)元件上的矩陣式模式的輻射探測(cè)器

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110091969.0
• 申請(qǐng)日: 2011-04-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102243316A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-11-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 雷納.F.舒爾茲
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 西門(mén)子公司
• 主分類(lèi)號(hào): G01T1/02
• 分類(lèi)號(hào): G01T1/02
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 謝強(qiáng)

1.一種用于測(cè)量入射的電離輻射的輻射劑量的輻射探測(cè)器，具有：

1.1.至少一個(gè)半導(dǎo)體晶片(2)，所述半導(dǎo)體晶片具有大量探測(cè)元件，所述探測(cè)元件以矩陣式模式設(shè)置在具有N＞2列和M＞2行的K＞4個(gè)規(guī)律分布的矩陣位置，

其特征在于：

1.2.所述探測(cè)元件被設(shè)置在K/2至K-1個(gè)矩陣位置，并且分別構(gòu)成敏感的探測(cè)像素(5)，

1.3.非輻射敏感的電子元件(11，12，13，16，17)和/或直通連接(15)被設(shè)置在K/2至一個(gè)矩陣位置，并且分別構(gòu)成中性的探測(cè)像素(6)，其中

1.4.每個(gè)探測(cè)像素(5，6)分別覆蓋同樣大的像素平面，并且

1.5.至少非邊緣的探測(cè)像素(5，6)如下地分布：每個(gè)中性探測(cè)像素(6)至少具有兩個(gè)鄰接的相對(duì)的敏感探測(cè)像素(5)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輻射探測(cè)器，其特征在于：

2.1.每個(gè)邊緣的中性的探測(cè)像素(6)具有至少兩個(gè)鄰接的并且相對(duì)的敏感的探測(cè)像素(5)，并且

2.2.每個(gè)非邊緣的中性的探測(cè)像素(6)具有至少四個(gè)鄰接的相對(duì)的敏感探測(cè)像素(5)。

3.根據(jù)上述權(quán)利要求1至2中任一項(xiàng)所述的輻射探測(cè)器，其特征在于，每個(gè)非邊緣的中性的探測(cè)像素(6)具有至少兩個(gè)直接相鄰的敏感探測(cè)像素(5)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的輻射探測(cè)器，其特征在于，多個(gè)中性的探測(cè)像素(6)被階梯式地設(shè)置。

5.根據(jù)上述權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的輻射探測(cè)器，其特征在于，所述矩陣式模式的至少一列由中性的探測(cè)像素(6)組成。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的輻射探測(cè)器，其特征在于，所述在一列中設(shè)置的探測(cè)像素(6)包含用于行尋址的電子元件。

7.根據(jù)上述權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的輻射探測(cè)器，其特征在于，所述矩陣式模式的至少一行由中性的探測(cè)像素(6)組成。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的輻射探測(cè)器，其特征在于，所述在一行中設(shè)置的探測(cè)像素(6)包含用于列尋址的電子元件。

9.根據(jù)上述權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的輻射探測(cè)器，其特征在于，所述矩陣式模式的一行和一列由中性的探測(cè)像素(6)組成，其中，所述在行和列的交叉點(diǎn)上的探測(cè)像素設(shè)計(jì)為直通連接(15)。

10.根據(jù)上述權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的輻射探測(cè)器，其特征在于，所述探測(cè)像素(5，6)棋盤(pán)形地設(shè)置。

11.根據(jù)上述權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的輻射探測(cè)器，其特征在于，所述探測(cè)像素(5，6)按照六邊形的最緊密的封裝設(shè)置。

12.根據(jù)上述權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的輻射探測(cè)器，其特征在于，所述探測(cè)像素(5，6)設(shè)置為成列地或成行地錯(cuò)開(kāi)，并且優(yōu)選地錯(cuò)開(kāi)半個(gè)像素高度。