[發明專利]抑制噪聲的電平移位電路有效
| 申請號: | 201110091737.5 | 申請日: | 2011-04-13 |
| 公開(公告)號: | CN102255494A | 公開(公告)日: | 2011-11-23 |
| 發明(設計)人: | 來新泉;趙永瑞;葉強;何惠森;劉晨 | 申請(專利權)人: | 西安電子科技大學 |
| 主分類號: | H02M1/44 | 分類號: | H02M1/44 |
| 代理公司: | 陜西電子工業專利中心 61205 | 代理人: | 王品華;朱紅星 |
| 地址: | 710071*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 抑制 噪聲 電平 移位 電路 | ||
1.一種抑制噪聲的電平移位電路,包括:雙脈沖轉換電路(1)、高壓電平移位對管(2)、欠壓檢測電路(3)和驅動動電路(4),其特征在于:所述高壓電平移位對管(2)的輸出端連接有電流采樣電路(5),用于直接采集帶有噪聲的電流信號,該電流采樣電路(5)與驅動動電路(4)之間連接有驅動信號恢復電路(6),用于消除噪聲并保留有用脈沖電流信號,同時將該脈沖電流信號恢復成驅動信號,傳輸給驅動電路(4),對其增強后輸出。
2.根據權利要求1所述的電平移位電路,其特征在于:所述雙脈沖轉換電路(1)的輸入端與驅動電壓信號V0連接,將該驅動信號V0的上升沿和下降沿分別轉換為電壓脈沖控制信號V1和V2,并輸出給高壓電平移位對管(2)。
3.根據權利要求1所述的電平移位電路,其特征在于:所述高壓電平移位對管(2)包括耐200V以上高壓的LDMOS管L1和L2;該L1和L2管相匹配,且兩管漏極與源極之間的導通電阻R1與R2阻值設定為大于2MΩ。
4.根據權利要求2或3所述的電平移位電路,其特征在于:兩路電壓脈沖控制信號V1和V2通過L1和L2對管的柵極分別輸入,并在L1、L2的漏極分別輸出第一電流信號I1和第二電流信號I2,該電流信號I1和I2小于100μA。
5.根據權利要求1所述的電平移位電路,其特征在于:所述電流采樣電路(5)包括PMOS管M1、M2、M3、M4以及兩個齊納二極管D1和D2;該PMOS管M1和M2相匹配,分別構成兩個電流源,分別采集第一電流信號I1和第二電流信號I2;該第一齊納二極管D1的陽極、陰極分別與PMOS管M1的漏極、源極相連,保護PMOS管M1不被噪聲信號擊穿;該第二齊納二極管D2的陽極、陰極分別與PMOS管M2的漏極、源極相連,保護PMOS管M2不被噪聲信號擊穿;該PMOS管M3和M4相匹配,其源極與電源VB相連,柵極分別與PMOS管M2和M1相連,構成兩個電流鏡,分別將第一電流信號I1和第二電流信號I2鏡像到PMOS管M3和M4的漏極,通過漏極分別輸出第三電流信號I3和第四電流信號I4;PMOS管M4的漏極與源極之間產生有寄生導通電阻R4。
6.根據權利要求5所述的電平移位電路,其特征在于第一電流信號I1和第三電流信號I3的比例U1=I1/I3大于2,第二電流信號I2和第四電流信號I4的比例U2=I2/I4大于2,且保證U1=U2。
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H02M1-00 變換裝置的零部件
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H02M1-06 .非導電氣體放電管或等效的半導體器件的專用電路,例如閘流管、晶閘管的專用電路
H02M1-08 .為靜態變換器中的半導體器件產生控制電壓的專用電路
H02M1-10 .具有能任意地用不同種類的電流向負載供電的變換裝置的設備,例如用交流或直流
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