[發(fā)明專利]半導體器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110091341.0 | 申請日: | 2008-02-01 |
| 公開(公告)號: | CN102176454A | 公開(公告)日: | 2011-09-07 |
| 發(fā)明(設計)人: | 佐佐木敏夫;安義彥;倉石孝;森涼 | 申請(專利權)人: | 瑞薩電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;H01L23/528;H01L23/485 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人: | 王茂華;董典紅 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體器件 | ||
1.一種在半導體芯片中的集成電路器件,包括:
功能塊;
用于向所述功能塊供給電源電位的電源線;
用于向所述功能塊供給比所述電源電位低的電位的線;
用于供給比所述電源電位低的參考電位的參考線;
用于使所述線與所述參考線彼此電耦合以及使所述線與所述參考線彼此電解耦的功率開關;
與所述參考線電耦合的多個墊;以及
布置在所述多個墊的每個墊之上的突起電極,
其中在平面圖中所述多個墊的每個墊與所述功率開關重疊。
2.根據(jù)權利要求1的集成電路器件,其中所述功率開關由n溝道場效應晶體管構成。
3.根據(jù)權利要求1的集成電路器件,其中當所述功能塊處于操作狀態(tài)中時,所述功率開關接通,使得向所述線供給所述參考電位,并且
其中當所述功能塊處于非操作狀態(tài)中時,所述功率開關斷開。
4.根據(jù)權利要求1的集成電路器件,其中輸入/輸出電路布置在所述半導體芯片的外圍區(qū)域中,
其中在平面圖中所述功能塊被所述輸入/輸出電路包圍。
5.根據(jù)權利要求1的集成電路器件,其中輸入/輸出電路布置在所述半導體芯片的外圍區(qū)域中,
其中在平面圖中所述突起電極被所述輸入/輸出電路包圍。
6.根據(jù)權利要求1的集成電路器件,其中所述功能塊包括存儲器。
7.根據(jù)權利要求1的集成電路器件,其中包括處理器的另一功能塊包括在所述集成電路器件中,
其中所述存儲器用于保持來自所述處理器的數(shù)據(jù)。
8.根據(jù)權利要求1的集成電路器件,其中包括非阻塞電路的另一功能塊包括在所述集成電路器件中,
其中所述非阻塞電路在沒有功率開關的情況下電耦合到所述參考線。
9.一種在半導體芯片中的集成電路器件,包括:
功能塊;
用于向所述功能塊供給電源電位的電源線;
用于供給比所述電源電位低的參考電位的參考線;
用于向所述功能塊供給比所述參考電位高的電位的線;
用于使所述線與所述電源線彼此電耦合以及使所述線與所述電源線彼此電解耦的功率開關;
與所述參考線電耦合的多個墊;以及
布置在所述多個墊的每個墊之上的突起電極,
其中在平面圖中所述多個墊的每個墊與所述功率開關重疊。
10.根據(jù)權利要求9的集成電路器件,其中所述功率開關由p溝道場效應晶體管構成。
11.根據(jù)權利要求9的集成電路器件,其中當所述功能塊處于操作狀態(tài)中時,所述功率開關接通,使得向所述線供給所述參考電位,并且
其中當所述功能塊處于非操作狀態(tài)中時,所述功率開關斷開。
12.根據(jù)權利要求9的集成電路器件,其中輸入/輸出電路布置在所述半導體芯片的外圍區(qū)域中,
其中在平面圖中所述功能塊被所述輸入/輸出電路包圍。
13.根據(jù)權利要求9的集成電路器件,其中輸入/輸出電路布置在所述半導體芯片的外圍區(qū)域中,
其中在平面圖中所述突起電極被所述輸入/輸出電路包圍。
14.根據(jù)權利要求9的集成電路器件,其中所述功能塊包括存儲器。
15.根據(jù)權利要求14的集成電路器件,其中包括處理器的另一功能塊包括在所述集成電路器件中,
其中所述存儲器用于保持來自所述處理器的數(shù)據(jù)。
16.根據(jù)權利要求9的集成電路器件,其中包括非阻塞電路的另一功能塊包括在所述集成電路器件中,
其中所述非阻塞電路在沒有功率開關的情況下電耦合到所述參考線。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





