[發明專利]一種壓控振蕩器無效
| 申請號: | 201110091000.3 | 申請日: | 2011-04-12 |
| 公開(公告)號: | CN102158224A | 公開(公告)日: | 2011-08-17 |
| 發明(設計)人: | 李正平;王明照;林榮 | 申請(專利權)人: | 廣州潤芯信息技術有限公司 |
| 主分類號: | H03L7/099 | 分類號: | H03L7/099 |
| 代理公司: | 廣州市南鋒專利事務所有限公司 44228 | 代理人: | 李永慶 |
| 地址: | 510000 廣東省廣州市經*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 壓控振蕩器 | ||
1.?一種壓控振蕩器,包括有電感(L)和電容(C)、NMOS管(M1)、NMOS管(M2),電感(L)和電容(C)并聯,NMOS管(M1)和NMOS管(M2)組成NMOS互耦對,?NMOS管(M1)的漏極與NMOS管(M2)的柵極相接再與電容(C)的一端連接,NMOS管(M2)的漏極與NMOS管(M1)的柵極相接再與電容(C)的另一端連接,NMOS管(M1)和NMOS管(M2)的源極相接,其特征在于:還包括有NMOS管(M3)、NMOS管(M4),NMOS管(M3)、NMOS管(M4)的漏極與NMOS管(M1)、NMOS管(M2)的源極相接,NMOS管(M3)、NMOS管(M4)的柵極分別與電容(C)的兩端相連,NMOS管(M3)和NMOS管(M4)的源極相接后接地。
2.?按照權利要求1所述的一種壓控振蕩器,其特征在于:所述的電感(L)為COMS工藝的片上螺旋電感。
3.按照權利要求1所述的一種壓控振蕩器,其特征在于:所述的電容(C)為CMOS工藝的電容。
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