[發明專利]發光器件和發光器件封裝

有效

• 申請號: 201110090411.0
• 申請日: 2011-04-08
• 公開（公告）號: CN102214760A
• 公開（公告）日: 2011-10-12
• 發明（設計）人: 文用泰
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/32
• 分類號: H01L33/32;H01L33/04;H01L33/20;H01L33/48;H01L33/62;H01L25/075;H01L33/00;F21V13/00;F21Y101/02
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 夏凱;謝麗娜

相關申請的交叉引用

該申請要求于2010年4月09日提交的韓國專利申請No.10-2010-0032558的優先權，該專利申請在此通過引用并入，如在在此完全闡述一樣。

技術領域

本發明涉及一種發光器件和一種發光器件封裝。

背景技術

由于薄膜生長和薄膜器件元件的發展，包括使用半導體的III-V族或者II-VI族化合物半導體元素的發光二極管和激光二極管的發光器件能夠呈現各種顏色，例如紅色、綠色和藍色以及紅外線。熒光材料的使用或者顏色的組合允許發光器件發出具有良好發光效率的白光。與諸如熒光燈和白熾燈的傳統光源相比，這種發光器件具有低功耗、半永久使用、快速響應速度、安全性和環保的優點。

發光器件已經被應用于光通信裝置的傳輸模塊、構成液晶顯示器(LCD)裝置的背光的替代冷陰極熒光燈(CCFL)的發光二極管背光、替代熒光燈和白熾燈的白色發光二極管發光器件、車輛的頭燈，并且甚至應用于交通燈。

發明內容

本發明涉及一種發光器件和一種發光器件封裝。

本發明提供一種具有提高的發光效率的發光器件。

在隨后的描述中將會部分地闡述本發，本發明對于已經研究過下面所述的本領域技術人員來說將是顯而易見的，或本發明可以通過本發明的實踐來知曉。通過在給出的描述及其權利要求以及附圖中特別地指出的結構可以實現并且獲得本發明的目的和其它的優點。為了實現這些目的和其他優點以及根據本發明的目的，如在此具體化并且一般性地描述的，一種發光器件包括發光結構，該發光結構包括第一導電類型半導體層、第二導電類型半導體層和布置在第一導電類型半導體層和第二導電類型半導體層之間以發射第一波長的光的有源層；和布置在發光結構上的再發射層，該再發射層包括氮化物半導體，其中該再發射層吸收第一波長范圍的光并且再發射層發射比第一波長范圍更長的第二波長范圍的光，并且該再發射層由分別具有不同的銦(In)組分的多層構成，并且該多層中的銦含量在該多層的頂層中為最大。

該第一波長范圍的光可以包括藍光。

該第一波長的光可以包括UV光。

該再發射層可以具有InGaN層。

該再發射層可以具有In_xAl_yGa_1-x-yN層(0≤x，y≤1)。

該發光結構可以包括布置在其表面中的凹凸結構。

該再發射層可以以預定厚度布置在發光結構的凹凸結構上。

該再發射層可以包括根據發光結構的凹凸結構布置的凹凸結構。

該再發射層可以保形地涂覆在發光結構上。

該再發射層可以布置在第一導電類型半導體層或者第二導電類型半導體層上。

該再發射層可以布置在n型半導體層或者p型半導體上。

該發光器件可以進一步包括布置在再發射層上的電極。

該電極可以包括從由鉬、鉻(Cr)、鎳(Ni)、金(Au)、鋁(Al)、鈦(Ti)、鉑(Pt)、釩(V)、鎢(W)、鉛(Pd)、銅(Cu)、銠(Rh)和銥(Ir)組成的組中選擇的金屬或者所述金屬的合金。

該發光器件可以進一步包括布置在第二導電類型半導體層上的歐姆層。

該歐姆層可以包括從由ITO、IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATO、GZO、IZON、AGZO、IGZO、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、Ni/IrOx/Au/ITO、Ag、Ni、Cr、Ti、Al、Rh、Pd、Ir、Sn、In、Ru、Mg、Zn、Pt、Au和Hf組成的組中選擇的至少一個。

該發光器件可以進一步包括布置在歐姆層上的金屬支撐件。

該金屬支撐件可以包括從由從由Mo、Si、W、Cu和Al組成的組中選擇的材料或者該組的合金、Au、Cu合金、Ni-鎳、Cu-W和載具晶圓組成的組中選擇至少一個。

該再發射層可以布置在第一導電類型半導體層和第二導電類型半導體層中的每一個的表面上。