[發明專利]半導體元件有效
| 申請號： | 201110089947.0 | 申請日： | 2011-04-08 |
| 公開（公告）號： | CN102468346A | 公開（公告）日： | 2012-05-23 |
| 發明（設計）人： | 陳家忠;黃崎峰;盧澤華;劉莎莉 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/92 | 分類號： | H01L29/92 |
| 代理公司： | 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019 | 代理人： | 壽寧;張華輝 |
| 地址： | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 元件 | ||
1.一種半導體元件，其特征在于其包含：
一第一MOM電容器；
一第二MOM電容器，直接位于該第一MOM電容器上方且垂直重疊在該第一MOM電容器上，其中每一該第一MOM電容器與該第二MOM電容器包含多個平行電容器手指；
一第一端點與一第二端點，電性耦合至該第一MOM電容器；以及
一第三端點與一第四端點，電性耦合至該第二MOM電容器，其中該第一端點、該第二端點、該第三端點與該第四端點設置于各自的一晶圓的一表面。
2.根據權利要求1所述的半導體元件，其特征在于其中各自的該晶圓包含一第一晶片與一第二晶片，一切割線位于該第一晶片與該第二晶片之間，其中該第一端點、該第二端點、該第三端點與該第四端點、以及該第一MOM電容器與該第二MOM電容器設置在該切割線中，且該第一端點與該第二端點對準一第一線，該第三端點與該第四端點對準一第二線，其中該第一線與該第二線平行于該切割線的一縱長方向。
3.根據權利要求1所述的半導體元件，其特征在于還包含讀啊哦個接地端點位于各自的該晶圓的該表面，其中在各自的該晶圓的一俯視圖中，該些接地端點關于該第一MOM電容器與該第二MOM電容器對稱設置。
4.根據權利要求1所述的半導體元件，其特征在于還包含：
一第三MOM電容器；
一第四MOM電容器，直接位于該第三MOM電容器上方且垂直重疊在該第三MOM電容器上；
一第五端點與一第六端點，電性耦合至該第三MOM電容器；以及
一第七端點與一第八端點，電性耦合至該第四MOM電容器，該第五端點、該第六端點、該第七端點與該第八端點設置于各自的該晶圓的該表面，其中該第一MOM電容器與該第三MOM電容器延伸至各自的該晶圓的多個不同金屬層，或該第二MOM電容器與該第四MOM電容器延伸至各自的該晶圓的多個不同金屬層。
5.根據權利要求1所述的半導體元件，其特征在于其中每一該第一MOM電容器與該第二MOM電容器包含多個部分延伸至各自的該晶圓的至少三個金屬層，且每一該第一MOM電容器與該第二MOM電容器在每一個該至少三個金屬層中包含：
多個第一電容器手指；
一第一總線，交互連接該些第一電容器手指；
多個第二電容器手指，與該些第一電容器手指分開；以及
一第二總線，交互連接該些第二電容器手指。
6.根據權利要求1所述的半導體元件，其特征在于其中所述的第一MOM電容器延伸至各自的該晶圓的一下金屬層，且該第二MOM電容器延伸至各自的該晶圓的一上金屬層。
7.一種半導體元件，其特征在于其包含：
一晶圓，包含：
一半導體基材；及
多個金屬層，位于該半導體基材上方；
一第一晶片與一第二晶片，位于該晶圓上；
一切割線，介于該第一晶片與該第二晶片之間；以及
一測試鍵，位于該切割線中且包含：
一第一待測元件，包含：
一第一MOM電容器，延伸穿過多個第一金屬層；及
一第二MOM電容器，延伸穿過位于該些第一金屬層上方的多個第二金屬層，其中該些第一金屬層與該些第二金屬層屬于該些金屬層，其中該第一MOM電容器的至少一部分垂直重疊在該第二MOM電容器的一部分上；
一第一端點與一第二端點，位于該晶圓的一上表面，且電性耦合至該第一MOM電容器；及
一第三端點與一第四端點，位于該晶圓的該上表面，且電性耦合至該第二MOM電容器。
8.根據權利要求7所述的半導體元件，其特征在于其中所述的第一端點與該第二端點對準一第一線，且該第三端點與該第四端點對準非平行于該第一線的一第二線，該第一線垂直于該第二線。
9.根據權利要求7所述的半導體元件，其特征在于還包含：
一第二待測元件，位于該晶圓的一額外切割線中且包含：
一第三MOM電容器，延伸穿過多個第三金屬層，其中該些第一金屬層的一第一總數不同于該些第三金屬層的一第二總數；以及
一第四MOM電容器，直接位于該第三MOM電容器上方。
10.一種半導體元件，其特征在于其包含：
一晶圓，包含：
一半導體基材；及
多個金屬層，位于該半導體基材上方；
一第一晶片與一第二晶片，位于該晶圓中；
一切割線，位于該第一晶片與該第二晶片之間；以及
一測試鍵，位于該切割線中且包含：
一待測元件，包含：
一第一MOM電容器，延伸至該晶圓的一下金屬層；
一第二MOM電容器，直接位于該第一MOM電容器上方且延伸至該晶圓的一上金屬層，其中全部的該第一MOM電容器重疊在全部的該第二MOM電容器上；
一第一端點與一第二端點，位于該晶圓的一上表面，且電性耦合至該第一MOM電容器；及
一第三端點與一第四端點，位于該晶圓的該上表面，且電性耦合至該第二MOM電容器，其中該第一端點與該第二端點對準一第一線，且該第三端點與該第四端點對準垂直于該第一線的一第二線。
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