[發明專利]一種單晶硅納米結構的制備方法無效
| 申請號： | 201110089421.2 | 申請日： | 2011-04-11 |
| 公開（公告）號： | CN102205943A | 公開（公告）日： | 2011-10-05 |
| 發明（設計）人： | 趙安迪;于曉梅;王曉菲;吳文剛;董立泉 | 申請（專利權）人： | 北京理工大學 |
| 主分類號： | B82B3/00 | 分類號： | B82B3/00;B82Y40/00 |
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| 地址： | 100081 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 單晶硅 納米 結構 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種單晶硅納米結構的制備方法，包括如下步驟：
1)以硅基片或SOI硅片作為襯底，在襯底上制作掩膜層，根據所需要的單晶硅納米結構形成掩膜圖形，掩膜圖形線寬≤2μm；2)對襯底進行氧化，在硅表面形成二氧化硅層，并消耗掉部分硅；
3)用氫氟酸溶液腐蝕掉二氧化硅，得到單晶硅納米結構。
2.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟1)先在襯底上依次熱氧化生長二氧化硅層和淀積氮化硅層，然后光刻形成光刻膠掩膜，再刻蝕氮化硅層和二氧化硅層形成掩膜圖形。
3.如權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述掩膜圖形的線寬為1～2μm。
4.如權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述步驟1)中采用低壓化學氣相淀積技術淀積氮化硅；采用反應離子刻蝕技術刻蝕氮化硅層和二氧化硅層。
5.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在步驟1)和2)之間增加下述步驟：干法刻蝕襯底硅，形成一定高度的硅臺階，形成微米級硅結構。
6.如權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述硅臺階高度為0.1μm-5μm。
7.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟2)先采用濕氧氧化方法，再采用干氧氧化方法。
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