[發(fā)明專利]具有電極框架的垂直發(fā)光二極管晶粒及其制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110089279.1 | 申請日： | 2011-04-11 |
| 公開（公告）號： | CN102347413A | 公開（公告）日： | 2012-02-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 朱振甫;樊峰旭;鄭好鈞;段忠 | 申請（專利權(quán)）人： | 旭明光電股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/36 | 分類號： | H01L33/36;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人： | 任默聞 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 電極 框架 垂直 發(fā)光二極管 晶粒 及其 制造 方法 | ||
1.一種垂直發(fā)光二極管晶粒，其特征在于，所述垂直發(fā)光二極管晶粒包含：
一金屬基部；
一鏡面體，位于所述金屬基部上；
一p-型半導(dǎo)體層，位于所述鏡面體上；
一多重量子阱層，位于所述p-型半導(dǎo)體層上并用以發(fā)光；
一n-型半導(dǎo)體層，位于所述多重量子阱層上，并具有一周邊輪廓與一中心；
一電極，位于所述n-型半導(dǎo)體層上；及
一電極框架，位于所述n-型半導(dǎo)體層上并與所述電極電性接觸，所述電極框架包含在所述n-型半導(dǎo)體層的所述周邊輪廓內(nèi)，并用以將電流從所述n-型半導(dǎo)體層的外周邊散布到所述n-型半導(dǎo)體層的中心。
2.如權(quán)利要求1所述的垂直發(fā)光二極管晶粒，其特征在于，所述電極框架具有四邊形相框形狀，而所述電極包含一襯墊，所述襯墊與所述電極框架的一邊接觸。
3.如權(quán)利要求1所述的垂直發(fā)光二極管晶粒，其特征在于，所述垂直發(fā)光二極管晶粒更包含一鈍化層，所述鈍化層位于所述金屬基部上，且包圍所述電極框架、所述鏡面體的邊緣、所述p-型半導(dǎo)體層的邊緣、所述多重量子阱層的邊緣以及所述n-型半導(dǎo)體層的邊緣并使其電性絕緣。
4.如權(quán)利要求3所述的垂直發(fā)光二極管晶粒，其特征在于，所述鈍化層設(shè)置成一堤壩且更包含一有機(jī)或無機(jī)材料，所述有機(jī)或無機(jī)材料被容納于所述堤壩內(nèi)且具有所選擇的光學(xué)特性。
5.如權(quán)利要求1所述的垂直發(fā)光二極管晶粒，其特征在于，所述垂直發(fā)光二極管晶粒更包含一有機(jī)或無機(jī)材料，所述材料被容納于所述電極框架內(nèi)且具有所選擇的光學(xué)特性。
6.如權(quán)利要求1所述的垂直發(fā)光二極管晶粒，其特征在于，所述p-型半導(dǎo)體層以及所述n-型半導(dǎo)體層包含一選自于由GaN、AlGaN、InGaN以及AlInGaN所組成的群組的材料。
7.如權(quán)利要求1所述的垂直發(fā)光二極管晶粒，其特征在于，所述電極包含一接合襯墊，所述接合襯墊包含在所述電極框架內(nèi)并且與所述電極框架的一邊接觸。
8.如權(quán)利要求1所述的垂直發(fā)光二極管晶粒，其特征在于，所述電極框架具有一約略呈矩形的形狀，其具有一外周邊寬度W、一外周邊長度L；而所述鏡面體具有小于或等于W的一寬度Wm、以及小于或等于L的一長度Lm。
9.如權(quán)利要求1所述的垂直發(fā)光二極管晶粒，其特征在于，所述n-型半導(dǎo)體層具有一第一面積，所述第一面積大于所述鏡面體的一第二面積。
10.一種垂直發(fā)光二極管晶粒，其特征在于，所述垂直發(fā)光二極管晶粒包含：
一金屬基部；
一鏡面體，位于所述金屬基部上，并具有一寬度Wm以及一長度Lm；
一p-型半導(dǎo)體層，位于所述鏡面體上；
一多重量子阱層，位于所述p-型半導(dǎo)體層上并用以發(fā)光；
一n-型半導(dǎo)體層，位于所述多重量子阱層上，并具有一周邊輪廓與一中心；
一電極，位于所述n-型半導(dǎo)體層上；及
一電極框架，位于所述n-型半導(dǎo)體層上且與所述電極電性接觸，并用以將電流從所述n-型半導(dǎo)體層的外周邊散布到所述n-型半導(dǎo)體層的中心，所述電極框架具有與所述n-型半導(dǎo)體層的所述周邊輪廓隔開一距離d的四邊形相框形狀，所述電極框架具有大于或等于Wm的一周邊寬度W、大于或等于Lm的一周邊長度L、一壁寬E以及一厚度dE。
11.如權(quán)利要求10所述的垂直發(fā)光二極管晶粒，其特征在于，選擇所述長度L，以滿足一所需的發(fā)光面積A，其中L＝A/W。
12.如權(quán)利要求10所述的垂直發(fā)光二極管晶粒，其特征在于，所述厚度dE是從1μm到100μm。
13.如權(quán)利要求10所述的垂直發(fā)光二極管晶粒，其特征在于，所述p-型半導(dǎo)體層、所述多重量子阱層以及所述n-型半導(dǎo)體層形成一約略呈錐形形狀的外延堆疊體，而所述n-型半導(dǎo)體層形成一基部以及所述p-型半導(dǎo)體層形成一平坦頂部。
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