[發明專利]一種用于聲表面波器件的高相速壓電薄膜及其制備方法

無效

• 申請號: 201110087854.4
• 申請日: 2011-04-08
• 公開（公告）號: CN102122937A
• 公開（公告）日: 2011-07-13
• 發明（設計）人: 薛玉明;楊保和;宋殿友;潘宏剛;朱亞東;劉君;辛治軍
• 申請（專利權）人: 天津理工大學
• 主分類號: H03H9/25
• 分類號: H03H9/25;H03H3/02
• 代理公司: 天津佳盟知識產權代理有限公司 12002
• 代理人: 侯力

1.一種用于聲表面波器件的高相速壓電薄膜，其特征在于：由金剛石襯底和該襯底表面形成的一層立方氮化硼（c-BN）薄膜構成，所述立方氮化硼c-BN薄膜是厚度為0.4-0.6μm的納米薄膜。

2.一種如權利要求1所述用于聲表面波器件的高相速壓電薄膜的制備方法，其特征在于包括以下步驟：

1）在MOCVD沉積系統的進樣室，對金剛石襯底表面進行等離子體清洗；

2）在MOCVD沉積系統的進樣室，采用磁控濺射工藝在金剛石襯底表面沉積一層立方氮化硼（c-BN）薄膜。

3.根據權利要求2所述用于聲表面波器件的高相速壓電薄膜的制備方法，其特征在于：所述對金剛石襯底表面進行表面等離子體清洗方法為：金剛石襯底在氬氣和氮氣的混合氣體氛圍中進行等離子體處理，氬氣和氮氣的質量流量比為20:4，等離子體清洗電源的燈絲電壓為60-80V，加速電壓為80-120V。

4.根據權利要求2所述用于聲表面波器件的高相速壓電薄膜的制備方法，其特征在于：所述在金剛石襯底表面沉積一層立方氮化硼（c-BN）薄膜的磁控濺射工藝參數為：本底真空度3×10^-4?Pa、襯底旋轉臺轉速80轉/分鐘、襯底溫度600-1100℃、濺射功率250-450W、N₂流量50sccm、氬氣流量10sccm、工作壓強1.2Pa、濺射靶與襯底之間的靶距8cm、等離子體電源的燈絲電壓60-80V、加速電壓80-120V、沉積時間1-2小時。