[發明專利]一種雪崩光電二極管探測陣列制備方法無效
| 申請號: | 201110086579.4 | 申請日: | 2011-04-07 |
| 公開(公告)號: | CN102254920A | 公開(公告)日: | 2011-11-23 |
| 發明(設計)人: | 吳光;任旻;簡軼;梁焰;孔偉斌;王致遠;潘海峰;曾和平;王江濤 | 申請(專利權)人: | 華東師范大學 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;G02B6/43 |
| 代理公司: | 上海申蒙商標專利代理有限公司 31214 | 代理人: | 徐小蓉 |
| 地址: | 200062 上*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 雪崩 光電二極管 探測 陣列 制備 方法 | ||
1.一種雪崩光電二極管探測陣列制備方法,其特征在于所述方法按照所述探測陣列的像元分布方式并以與之匹配對應的方式提供一種微透鏡陣列,作為探測平面,入射到所述微透鏡陣列平面的平行光或者近似平行光聚焦成若干光斑,所述若干光斑呈相同陣列排布,所述光斑耦合進多模光纖中,并通過多模光纖入射到與所述多模光纖耦合的雪崩光電二極管中,其中所述光斑的數量、所述多模光纖的數量以及所述雪崩光電二極管的數量分別一一對應,即每個雪崩光電二極管探測的光信號對應于所述微透鏡陣列平面上一個像元,入射到微透鏡陣列平面上的光信號,每束光都有對應的多模光纖耦合的雪崩光電二極管進行探測。
2.根據權利要求1所述的一種雪崩光電二極管探測陣列制備方法,其特征在于所述微透鏡陣列像元分布為m×m’,N=?m×m’,?m,?m’為像元數,N為雪崩光電二極管數量,其中m或?m’?=?1~40。
3.根據權利要求1所述的一種雪崩光電二極管探測陣列制備方法,其特征在于所述雪崩光電二極管為點探測器,每個雪崩光電二極管有單獨的信號輸出。
4.根據權利要求2所述的一種雪崩光電二極管探測陣列制備方法,其特征在于雪崩光電二極管的信號輸出采用的是并行方式,即有N路輸出信號,每路信號都完整的保持了每個雪崩光電二極管的輸出信號特征,包括探測到的入射到各個像元上的光強,和到達各個像元的光的時間信息。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





