[發明專利]具有耗盡型MOS晶體管的半導體裝置有效
| 申請號： | 201110086411.3 | 申請日： | 2011-03-29 |
| 公開（公告）號： | CN102208445A | 公開（公告）日： | 2011-10-05 |
| 發明（設計）人： | 原田博文 | 申請（專利權）人： | 精工電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;王忠忠 |
| 地址： | 日本千葉*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 耗盡 mos 晶體管 半導體 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體裝置，其中包括：
半導體襯底上的、第一導電型的阱區；
在所述第一導電型阱區上形成的柵極絕緣膜；
在所述柵極絕緣膜上形成的柵電極；
在所述第一導電型的阱區內并且在所述柵電極的兩側形成的第二導電型的源極/漏極區；
在所述第一導電型的阱區內并且在所述源極/漏極區之間的所述柵極氧化膜下形成的第二導電型的低濃度雜質區；以及
在所述第一導電型的阱區內并且在所述源極/漏極區之間的所述第二導電型的低濃度雜質區之下形成的第一導電型的低濃度雜質區。
2.如權利要求1所述的半導體裝置，其中所述第一導電型的低濃度雜質區配置成與所述源極/漏極區相分離。
3.如權利要求2所述的半導體裝置，其中所述第一導電型的低濃度雜質區和所述源極/漏極區在0.5μm到1.5μm之間相分離。
4.如權利要求1所述的半導體裝置，其中所述第一導電型的低濃度雜質區的峰值濃度為5.0×1016/cm3到1.0×1018/cm3。
5.如權利要求4所述的半導體裝置，其中所述第二導電型的低濃度雜質區的峰值濃度為1.0×1017/cm3到5.0×1018/cm3。
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