[發(fā)明專利]抗反射膜和紅外線光學(xué)元件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110085972.1 | 申請(qǐng)日： | 2011-04-02 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN102213777A | 公開（公告）日： | 2011-10-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 栗原忠幸 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 富士膠片株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | G02B1/11 | 分類號(hào)： | G02B1/11;G02B1/10;B32B9/00 |
| 代理公司： | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人： | 陳平 |
| 地址： | 日本國*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 反射 紅外線 光學(xué) 元件 | ||
1.一種形成于硫?qū)倩锊Ａ系目狗瓷淠ぃ隹狗瓷淠ぐǎ?/p>
由Bi2O3制成的第一薄膜層，所述第一薄膜層形成于所述硫?qū)倩锊Ａ希缓?/p>
由YF3制成的第二薄膜層，所述第二薄膜層形成于所述第一薄膜層上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗反射膜，其中所述第一薄膜層是通過離子束輔助沉積形成的。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗反射膜，其中所述第二薄膜層包括彼此交替地形成的一個(gè)或多個(gè)輔助層和一個(gè)或多個(gè)非輔助層，并且所述輔助層是使用離子束輔助沉積形成的，而所述非輔助層是在不使用離子束輔助沉積的情況下形成的。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的抗反射膜，其中所述第二薄膜層中位于離所述硫?qū)倩锊Ａё钸h(yuǎn)處的最上層是所述輔助層。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的抗反射膜，其中所述第二薄膜層中與所述第一薄膜層相鄰的最下層是所述輔助層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗反射膜，所述抗反射膜還包括：
耐候?qū)樱瞿秃驅(qū)釉O(shè)置在所述第二薄膜層上，并且由用于提高所述抗反射膜的耐候性的材料制成。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的抗反射膜，其中所述耐候?qū)佑蒘i，SiO和SiO2中的至少一種制成。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的抗反射膜，其中所述耐候?qū)泳哂?0nm以上且200nm以下的厚度。
9.一種紅外線光學(xué)元件，所述紅外線光學(xué)元件包括：
基底，所述基底由硫?qū)倩锊Ａе瞥桑缓?/p>
抗反射膜，所述抗反射膜設(shè)置在所述基底的表面上，并且包括：
第一薄膜層，所述第一薄膜層由Bi2O3制成，并且形成于所述基底上；和
第二薄膜層，所述第二薄膜層由YF3制成，并且形成于所述第一薄膜層上。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的紅外線光學(xué)元件，所述紅外線光學(xué)元件還包括：
耐候?qū)樱瞿秃驅(qū)有纬捎谒龅诙∧由弦蕴岣咚隹狗瓷淠さ哪秃蛐浴?/p>
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