[發明專利]LED半導體及LED半導體的應用

有效

• 申請號: 201110084851.5
• 申請日: 2007-08-28
• 公開（公告）號: CN102176461A
• 公開（公告）日: 2011-09-07
• 發明（設計）人: P·海德博恩;R·溫迪希;R·沃思
• 申請（專利權）人: 奧斯蘭姆奧普托半導體有限責任公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L33/36;H01L33/38
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 湯春龍;李家麟

1.一種LED半導體(1)，具有至少一個產生輻射的第一有源層(2)以及至少一個產生輻射的第二有源層(3)，所述第二有源層(3)在豎直方向上堆疊在所述第一有源層(2)之上并與所述第一有源層(2)串聯連接，其中所述第一有源層(2)與所述第二有源層(3)借助于接觸區(4)而導電連接，其中所述第一有源層(2)與所述第二有源層(3)之間的所述接觸區(4)集成在所述LED半導體(1)中。

2.根據權利要求1所述的LED半導體(1)，其中所述接觸區(4)具有至少一個第一區域(4a)及至少一個第二區域(4b)。

3.根據權利要求2所述的LED半導體(1)，其中所述第二區域(4b)是導電的。

4.根據權利要求2所述的LED半導體(1)，其中所述第二區域(4b)是接觸墊或延長的接觸片，并且圍繞所述第二區域(4b)的材料構成第一區域(4a)。

5.根據權利要求2所述的LED半導體(1)，其中所述第二區域(4b)如此設置，使得其在第一堆疊(I)和第二堆疊(II)間產生電連接，其中所述第一堆疊(I)具有產生輻射的所述第一有源層(2)，且所述第二堆疊(II)具有產生輻射的所述第二有源層(3)。

6.根據權利要求5所述的LED半導體(1)，其中所述第二區域(4b)施加在第一層堆疊或第二層堆疊(I，II)的相向層堆疊(I，II)的相對表面上。

7.根據權利要求2所述的LED半導體(1)，其中具有產生輻射的所述第一有源層(2)的第一堆疊(I)和具有產生輻射的所述第二有源層(3)的第二堆疊(II)各具有至少一個第二區域(4b)，所述至少一個第二區域(4b)設置的方式使得每兩個第二區域(4b)在兩個層堆疊(I，II)的相互堆疊中相互位于對方之上。

8.根據權利要求1或2所述的LED半導體(1)，其中所述接觸區(4)包含可由所述第一有源層(2)和/或第二有源層(3)產生的輻射穿透的材料。

9.根據權利要求8所述的LED半導體(1)，其中所述接觸區(4)包含TCO。

10.根據權利要求1或2所述的LED半導體(1)，其中所述接觸區(4)包含粘合劑。