[發明專利]垂直共振腔面射型激光及其制作方法

有效

• 申請號: 201110084714.1
• 申請日: 2011-04-01
• 公開（公告）號: CN102738703A
• 公開（公告）日: 2012-10-17
• 發明（設計）人: 陳志誠;陳柏翰;吳承儒;潘金山
• 申請（專利權）人: 光環科技股份有限公司
• 主分類號: H01S5/183
• 分類號: H01S5/183;H01S5/187
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 梁揮;張燕華

1.一種垂直共振腔面射型激光，其特征在于，包含：

一基板；以及

一磊晶疊層，形成于該基板上，該磊晶疊層包含有一環狀鋅擴散區、一位于該鋅擴散區下方的環狀離子布植區、一位于離子布植區下方的環狀氧化區，以及一位于該環狀氧化區下方的主動區；

其中，該鋅擴散區具有一鋅擴散通孔，該離子布植區具有一離子布植通孔，且該氧化區具有一氧化通孔，且該鋅擴散通孔、該離子布植通孔與該氧化通孔為相互連通。

2.根據權利要求1所述的垂直共振腔面射型激光，其特征在于，且該鋅擴散通孔的軸心、該離子布植通孔的軸心與該氧化通孔的軸心為相互對齊。

3.根據權利要求1所述的垂直共振腔面射型激光，其特征在于，該磊晶疊層包含一位在該主動區一側的第一布拉格反射鏡，一位在該主動區另一側的第二布拉格反射鏡。

4.一種垂直共振腔面射型激光的制作方法，其特征在于，包含下列步驟：

(A)提供一基板；

(B)于該基板上形成一磊晶疊層；

(C)在該磊晶疊層上形成一第一屏蔽，該第一屏蔽具有一環狀孔隙；

(D)通過該環狀孔隙對該磊晶疊層進行離子布植，以形成一環狀離子布植區；

(E)通過該環狀孔隙對該磊晶疊層進行鋅擴散，以形成一環狀鋅擴散區；

(F)在該第一屏蔽上形成一第二屏蔽，藉以遮蔽該第一屏蔽的環狀孔隙；以及

(G)通過該第一屏蔽及該第二屏蔽對該磊晶疊層進行蝕刻，以形成一島狀平臺。

5.根據權利要求4所述的垂直共振腔面射型激光的制作方法，其特征在于，形成該磊晶疊層包含形成一第一布拉格反射鏡、一第二布拉格反射鏡，以及一位在該第一布拉格反射鏡與第二布拉格反射鏡之間的主動區。

6.根據權利要求4所述的垂直共振腔面射型激光的制作方法，其特征在于，該磊晶疊層包含有一高鋁含量層，且還包含在該島狀平臺形成后，對該高鋁含量層進行氧化以形成一環狀氧化區。

7.根據權利要求6所述的垂直共振腔面射型激光的制作方法，其特征在于，該高鋁含量層屬于該第二布拉格反射鏡。

8.根據權利要求4所述的垂直共振腔面射型激光的制作方法，其特征在于，形成該第一屏蔽包含在該磊晶疊層上形成一圓形部以及一環繞該圓形部且與該圓形部同心的圓環部，且該圓形部及該圓環部之間界定出該環狀孔隙。

9.根據權利要求8所述的垂直共振腔面射型激光的制作方法，其特征在于，使該第二屏蔽至少完整涵蓋該圓形部以及該環狀孔隙，且不超出該圓環部之外。

10.一種垂直共振腔面射型激光的制作方法，其特征在于，包含下列步驟：

(A)提供一基板；

(B)于該基板上形成一磊晶疊層，且該磊晶疊層包含有一高鋁含量層；

(C)在該磊晶疊層上形成一第一屏蔽，該第一屏蔽具有一環狀孔隙；

(D)通過該環狀孔隙對該磊晶疊層進行鋅擴散，以形成一環狀鋅擴散區；

(E)在該第一屏蔽上形成一第二屏蔽，藉以遮蔽該第一屏蔽的環狀孔隙；

(F)通過該第一屏蔽及該第二屏蔽對該磊晶疊層進行蝕刻，以形成一島狀平臺；以及

(G)對該高鋁含量層進行氧化以形成一環狀氧化區。

11.根據權利要求10所述的垂直共振腔面射型激光的制作方法，其特征在于，形成該磊晶疊層包含形成一第一布拉格反射鏡、一第二布拉格反射鏡，以及一位在該第一布拉格反射鏡與第二布拉格反射鏡之間的主動區。

12.根據權利要求11所述的垂直共振腔面射型激光的制作方法，其特征在于，該高鋁含量層屬于該第二布拉格反射鏡。

13.根據權利要求10所述的垂直共振腔面射型激光的制作方法，其特征在于，形成該第一屏蔽包含在該磊晶疊層上形成一圓形部以及一環繞該圓形部且與該圓形部同心的圓環部，且該圓形部及該圓環部之間界定出該環狀孔隙。

14.根據權利要求10所述的垂直共振腔面射型激光的制作方法，其特征在于，使該第二屏蔽至少完整涵蓋該圓形部以及該環狀孔隙，且不超出該圓環部之外。