[發明專利]一種有機多層薄膜的制備方法無效
| 申請號: | 201110084673.6 | 申請日: | 2011-04-06 |
| 公開(公告)號: | CN102185109A | 公開(公告)日: | 2011-09-14 |
| 發明(設計)人: | 劉鍵 | 申請(專利權)人: | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號: | H01L51/00 | 分類號: | H01L51/00;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京市德權律師事務所 11302 | 代理人: | 王建國 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 有機 多層 薄膜 制備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及用于有機器件制作的有機多層薄膜制備技術領域,特別涉及一種采取控溫加壓的方式進行有機多層薄膜的制備方法。
背景技術
有機電致發光器件中有機薄膜的制備方法和器件制作技術非常重要,對器件性能有很大影響,不同器件制作技術直接影響著器件的工作效率,不同的制備方法直接影響到產業化中的器件制備成本。根據材枓的不同,有機小分子常用真空蒸鍍的方法制備薄膜,高分子材枓常用旋涂的方法制備薄膜。隨著有機電致發光器件制備工藝的發展,相繼出現了其他的制備工藝,如:有機蒸汽噴印、有機氣相沉積,絲網印刷和噴墨打印等。
考慮到工藝難度、薄膜性能、材料的利用率、制備方法的局限性以及生產成本等多方面因素,上述有機薄膜生長方法都存在一些不足之處。特別是在器件制作過程中,在完成有機薄膜生長后需要完成金屬電極(陽極或陰極)的蒸發制作,金屬電極的制作一般采取蒸發或濺射的方法進行;在向有機薄膜沉積的過程中,高能金屬原子或離子會對有機分子結構帶來一定程度的損傷,影響到與金屬電極最直接接觸的有機材料發光效率和器件性能。因此,如何實現有機器件低損傷或無損傷的工藝制作是一個值得探索的新的OLED(有機發光二極管,Organic?Light-Emitting?Diode)器件制作技術問題。
發明內容
為了解決有機器件金屬電極制作工藝中蒸發或濺射的高能金屬原子或離子對有機分子薄膜性能的不利影響,本發明提供了一種有機多層薄膜的制備方法,所述方法包括:
在兩個基片的金屬電極上沉積不同的有機物薄膜;
將兩個基片的有機物薄膜層對準接觸,并對至少一個基片加熱;
待至少一個基片溫度進入預設溫度范圍后,對兩個基片施加方向相反的壓力。
本發明提供的有機多層薄膜的制備方法改變了現有有機器件的工藝制作流程,在先完成金屬電極的制作工藝后進行有機薄膜的低溫生長,克服了現有金屬電極制作工藝中高能金屬原子或離子對有機分子薄膜性能的不利影響,在器件制作方面最大限度地提高了有機器件的性能。
附圖說明
圖1為本發明實施例提供的完成了金屬電極制作的兩個基片結構示意圖;
圖2為本發明實施例提供的分別完成兩種有機薄膜生長的基片結構圖;
圖3為本發明實施例提供的有機薄膜壓合過程示意圖。
具體實施方式
為了深入了解本發明,下面結合附圖及具體實施例對本發明進行詳細說明。
本發明提出了一種有機多層薄膜的制備方法,該方法是在完成金屬電極的基片上進行有機薄膜的生長,采取控溫加壓的方式進行有機多層薄膜的接合,從而完成有機器件的制備。溫度控制可采取單基片控溫或雙基片控溫兩種方案,下面以這兩種溫控方案為例來闡述本發明的技術方案。
實施例1
本發明提出了一種有機多層薄膜的制備方法,包括如下步驟:
步驟101:在兩個基片上采用蒸發或濺射方式制備金屬電極;
如圖1所示,采用蒸發或濺射方式制備基片的金屬陽電極或金屬陰電極,其工藝流程如下:首先在一個基片上采用蒸發或濺射方法制備氧化銦錫(ITO)金屬陽電極,厚度為3500埃,在完成ITO蒸發過程中,制作陽電極的金屬對準標志;然后,在另一個基片上也采用蒸發或濺射方法制備鋁(Al)金屬陰電極,厚度為4000埃,在完成鋁蒸發過程中,制作陰電極的金屬對準標志;
步驟102:使用真空蒸鍍方法在兩個基片的金屬電極上沉積不同的有機物薄膜;
如圖2所示,在金屬電極上沉積有機物薄膜,也稱之為生長有機物薄膜;本實施例中,采用真空蒸鍍方法在鋁(Al)金屬陰電極上生長Alq(8烴基喹啉鋁)材料,厚度為3000-5000埃,形成有機物薄膜1;采用真空蒸鍍方法在氧化銦錫金屬陽電極上生長TPD(芳香雙胺)材料,厚度為3000-5000埃,形成有機物薄膜2;本實施例中,還可以使用旋涂法、有機蒸汽噴印、有機氣相沉積、絲網印刷或噴墨打印等方法沉積有機物薄膜;
步驟103:將兩個基片有機物薄膜層面對面對準接觸;
本實施例中,在將鋁金屬陰電極和氧化銦錫金屬陽電極壓合前,需要將其上沉積的有機物薄膜對準,才能完成有機薄膜的緊密接合;實際應用中,可以采取微電子工藝制作對準標志進行對準,具體工藝如下:在完成ITO蒸發過程中,制作陽電極的金屬對準標志;在完成鋁蒸發過程中,制作陰電極的金屬對準標志;將陽電極上的對準標志與陰電極上的對準標志進行對準;
步驟104:將兩個基片加熱,待兩個基片溫度進入預設溫度范圍后,對兩個基片施加方向相反的壓力;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





