[發明專利]一種提高N型111晶向電阻率均勻性的方法無效
| 申請號： | 201110084310.2 | 申請日： | 2011-03-29 |
| 公開（公告）號： | CN102181916A | 公開（公告）日： | 2011-09-14 |
| 發明（設計）人： | 徐嘉毅 | 申請（專利權）人： | 浙江晨方光電科技有限公司 |
| 主分類號： | C30B11/14 | 分類號： | C30B11/14;B28D5/00 |
| 代理公司： | 杭州天正專利事務所有限公司 33201 | 代理人： | 舒良 |
| 地址： | 324300 浙江*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 提高 111 電阻率 均勻 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種提高N型111晶向電阻率均勻性的方法，其特征在于先采用<111>晶向的單晶棒，制備出偏向<110>方向X角度的籽晶，然后進行引晶，使晶體沿著<11X>晶向，生長出<11X>晶向偏向<110>晶面方向單晶體，然后將<11X>晶向的單晶體偏切X角，切出<111>晶片即可。
2.根據權利要求1所述的一種提高N型111晶向電阻率均勻性的方法，其特征在于X角度在1～5度之間。
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