[發明專利]發光二極管及其制造方法無效
| 申請號： | 201110084203.X | 申請日： | 2011-04-02 |
| 公開（公告）號： | CN102185054A | 公開（公告）日： | 2011-09-14 |
| 發明（設計）人： | 李淼 | 申請（專利權）人： | 映瑞光電科技（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/02 | 分類號： | H01L33/02;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 201203 上海市浦東新區*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 發光二極管 及其 制造 方法 | ||
1.一種發光二極管，包括：
襯底；
依次位于所述襯底上的n型半導體層、有源層、p型半導體層、插入層和電流擴散層；
其中，所述插入層由非摻雜AlxGa1-xN層以及摻雜Si和/或Mg的AlxGa1-xN層中的至少一種構成，0≤x≤0.2。
2.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述插入層由非摻雜AlxGa1-xN層和摻雜Si和/或Mg的AlxGa1-xN層交替構成，所述非摻雜AlxGa1-xN層靠近p型半導體層，所述摻雜Si和/或Mg的AlxGa1-xN層靠近電流擴散層。
3.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述插入層由非摻雜AlxGa1-xN層和摻雜Si和/或Mg的AlxGa1-xN層交替構成，所述非摻雜AlxGa1-xN層靠近電流擴散層，所述摻雜Si和/或Mg的AlxGa1-xN層靠近p型半導體層。
4.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述插入層的厚度在5nm至200nm之間。
5.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，還包括依次形成于所述襯底和n型半導體層之間的緩沖層和非摻雜氮化物層。
6.如權利要求1至5中任一項所述的發光二極管，其特征在于，還包括：
深度延伸至所述n型半導體層的開口；
形成于所述開口內的n型電極，所述n型半導體層通過所述n型電極與一電源負極電連接；
形成于所述電流擴散層上的p型電極，所述p型半導體層通過所述p型電極與一電源正極電連接。
7.如權利要求1至5中任一項所述的發光二極管，其特征在于，還包括：
形成于所述襯底遠離所述n型半導體層表面上的n型電極，所述n型半導體層通過所述n型電極與一電源負極電連接；
形成于所述電流擴散層上的p型電極，所述p型半導體層通過所述p型電極與一電源正極電連接。
8.一種發光二極管的制造方法，其特征在于，包括：
提供一襯底；
在所述襯底上依次形成n型半導體層、有源層、p型半導體層、插入層以及電流擴散層，其中，所述插入層由非摻雜AlxGa1-xN層以及摻雜Si和/或Mg的AlxGa1-xN層中的至少一種構成，其中0≤x≤0.2。
9.如權利要求8所述的發光二極管的制造方法，其特征在于，所述插入層由非摻雜AlxGa1-xN層和摻雜Si和/或Mg的AlxGa1-xN層交替構成，所述非摻雜AlxGa1-xN層靠近所述p型半導體層，所述摻雜Si和/或Mg的AlxGa1-xN層靠近所述電流擴散層。
10.如權利要求8所述的發光二極管的制造方法，其特征在于，所述插入層由非摻雜AlxGa1-xN層和摻雜Si和/或Mg的AlxGa1-xN層交替構成，所述非摻雜AlxGa1-xN層靠近所述電流擴散層，所述摻雜Si和/或Mg的AlxGa1-xN層靠近所述p型半導體層。
11.如權利要求8所述的發光二極管的制造方法，其特征在于，所述插入層的厚度在5nm至200nm之間。
12.如權利要求8所述的發光二極管的制造方法，其特征在于，還包括在所述襯底和n型半導體層之間依次形成緩沖層和非摻雜氮化物層。
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