[發(fā)明專利]發(fā)光二極管及其制造方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110084201.0
• 申請(qǐng)日: 2011-04-02
• 公開（公告）號(hào): CN102185053A
• 公開（公告）日: 2011-09-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李淼
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 映瑞光電科技（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/02
• 分類號(hào): H01L33/02;H01L33/04;H01L33/14;H01L33/00
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種發(fā)光二極管，包括：

襯底；

依次位于所述襯底上的n型半導(dǎo)體層、有源層、p型半導(dǎo)體層、插入層以及電流擴(kuò)散層；

其中，所述插入層包括至少一層超晶格結(jié)構(gòu)，所述超晶格結(jié)構(gòu)由In_x1Al_y1Ga_1-x1-y1N層和In_x2Al_y2Ga_1-x2-y2N層組成，所述In_x2Al_y2Ga_1-x2-y2N層的In含量小于所述In_x1Al_y1Ga_1-x1-y1N層的In含量。

2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，0.01＜x1＜0.3，0≤y1＜0.2，0≤x2＜0.1，0≤y2＜0.2。

3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述插入層包括2～40層超晶格結(jié)構(gòu)。

4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述In_x1Al_y1Ga_1-x1-y1N層靠近所述p型半導(dǎo)體層，所述In_x2Al_y2Ga_1-x2-y2N層靠近所述電流擴(kuò)散層。

5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述In_x1Al_y1Ga_1-x1-y1N層靠近所述電流擴(kuò)散層，所述In_x2Al_y2Ga_1-x2-y2N層靠近所述p型半導(dǎo)體層。

6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述插入層的厚度在5nm至200nm之間。

7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，還包括依次形成于所述襯底和n型半導(dǎo)體層之間的緩沖層和非摻雜氮化物層。

8.如權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的發(fā)光二極管，其特征在于，還包括：

深度延伸至所述n型半導(dǎo)體層的開口；

形成于所述開口內(nèi)的n型電極，所述n型半導(dǎo)體層通過所述n型電極與一電源負(fù)極電連接；

形成于所述電流擴(kuò)散層上的p型電極，所述p型半導(dǎo)體層通過所述p型電極與一電源正極電連接。

9.如權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的發(fā)光二極管，其特征在于，還包括：

形成于所述襯底遠(yuǎn)離所述n型半導(dǎo)體層表面上的n型電極，所述n型半導(dǎo)體層通過所述n型電極與一電源負(fù)極電連接；

形成于所述電流擴(kuò)散層上的p型電極，所述p型半導(dǎo)體層通過所述p型電極與一電源正極電連接。

10.一種發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，包括：

提供一襯底；

在所述襯底上依次形成n型半導(dǎo)體層、有源層、p型半導(dǎo)體層、插入層以及電流擴(kuò)散層，其中，所述插入層包括至少一層超晶格結(jié)構(gòu)，所述超晶格結(jié)構(gòu)由In_x1Al_y1Ga_1-x1-y1N層和In_x2Al_y2Ga_1-x2-y2N層組成，所述In_x2Al_y2Ga_1-x2-y2N層的In含量小于所述In_x1Al_y1Ga_1-x1-y1N層的In含量。

11.如權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，0.01＜x1＜0.3，0≤y1＜0.2，0≤x2＜0.1，0≤y2＜0.2。

12.如權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，所述插入層包括2～40層超晶格結(jié)構(gòu)。