[發明專利]智能記憶開關

有效

• 申請號: 201110083198.0
• 申請日: 2011-04-01
• 公開（公告）號: CN102158210A
• 公開（公告）日: 2011-08-17
• 發明（設計）人: 謝永光
• 申請（專利權）人: 李炳南
• 主分類號: H03K17/567
• 分類號: H03K17/567
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.智能記憶開關，包括阻容限流半波整流電路，直流電源濾波穩壓電路，阻容限流半波整流電路由電阻R1，電容C1，二極管D1和二極管D2組成，直流電源濾波穩壓電路由電容C2和穩壓管Z組成；其特征在于還包括一智能記憶開關電路，智能記憶開關電路由繼電器線圈J、繼電器常開開關K，可控硅SCR、電容C3、電阻R2、電阻R3，手動開關S1組成；繼電器線圈J一端與零線N相連，另一端與可控硅SCR正極相連；繼電器常開開關K一端與火線L輸出端X2相連，另一端與電容C1、電阻R1相連；可控硅SCR負極與電阻R2、電阻R3相連；電容C3一端與電容C2負極相連，另一端與電阻R2、可控硅SCR觸發極相連；電阻R2一端與可控硅SCR負極、電阻R3相連，另一端與可控硅SCR觸發極、電容C3相連；電阻R3一端與零線N相連，另一端與可控硅SCR負極、電阻R2相連；手動開關S1一端與電阻R3、電阻R2、可控硅SCR負極相連，另一端與電容C3，電容C2負極、穩壓管Z正極、二極管D2正極相連。

2.根據權利要求1所述的智能記憶開關，其特征在于所述智能記憶開關電路還包括二極管D3和電容C4，二極管D3負極與零線N相連，正極與繼電器線圈J、電容C4相連；電容C4一端與零線N相連，另一端與繼電器線圈J、二極管D3正極、可控硅SCR正極相連。

3.根據權利要求1所述的智能記憶開關，其特征在于所述阻容限流半波整流電路的電阻R1一端與火線L相連，另一端與電容C1、二極管D2負極、二極管D1正極相連；電容C1一端與火線L相連，另一端與電阻R1、二極管D2負極、二極管D1正極相連；二極管D1負極與零線N相連，正極與二極管D2負極、電容C1和電阻R1相連；二極管D2正極與穩壓管Z正極相連、負極與二極管D1正極、電容C1和電阻R1相連。

4.根據權利要求1所述的智能記憶開關，其特征在于所述直流電源濾波穩壓電路的電容C2一端與零線N相連，另一端與穩壓管Z正極、電容C3、手動開關S1、二極管D2正極相連；穩壓管Z負極與零線N相連，正極與電容C2、電容C3、手動開關S1、二極管D2正極相連。

5.根據權利要求1所述的智能記憶開關，其特征在于所述智能記憶開關還包括一限流保險管F，保險管F一端與繼電器常開開關K相連，另一端與火線L輸入端X1相連。