[發明專利]發光二極管封裝結構及其制造方法

無效

• 申請號: 201110083148.2
• 申請日: 2011-04-02
• 公開（公告）號: CN102738351A
• 公開（公告）日: 2012-10-17
• 發明（設計）人: 林厚德;蔡明達
• 申請（專利權）人: 展晶科技（深圳）有限公司;榮創能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/62;H01L33/64;H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種半導體封裝結構，特別涉及一種發光二極管封裝結構，還涉及一種發光二極管封裝結構的制造方法。

背景技術

發光二極管(Light?Emitting?Diode，LED)封裝結構的制作通常是先在一個樹脂或塑料的基板上形成第一電極和第二電極，然后將發光二極管芯片固定于基板上并與第一電極和第二電極電性連接，最后形成封裝層覆蓋發光二極管芯片并切割形成多個組件。

然而，此種封裝方法要先提供一個基板，再在基板上面形成電極，再進行固晶、封裝，工序繁多。且由于需在基板上形成封裝層，也不利于散熱，從而導致不良品的出現，降低產品的合格率。

發明內容

有鑒于此，有必要提供一種制造簡單、散熱良好的發光二極管封裝結構及其制造方法。

一種發光二極管封裝結構，包括電極、發光二極管芯片以及絕緣層，所述電極包括第一電極和第二電極，該第一電極和第二電極相互間隔設置，所述發光二極管芯片與電極電性連接，所述絕緣層覆蓋該電極和發光二極管芯片，所述第一電極上設有凹槽，所述發光二極管芯片容置于該凹槽中，所述第一電極和第二電極相互間隔處形成通道，該通道與該凹槽連通，所述絕緣層經由該通道填充于凹槽中。

一種發光二極管封裝結構的制造方法，包括以下步驟：

提供電極，該電極包括第一電極、第二電極，該第一電極和第二電極相互間隔設置并在間隔處形成一個通道，該第一電極上設有一個凹槽，該凹槽與通道連通；

在所述凹槽中設置發光二極管芯片，并使發光二極管芯片與所述第一電極和第二電極電連接；

提供一個遮擋罩，覆蓋于第一電極和第二電極之上；

采用注塑成型方式，將流體狀透明絕緣材料自通道注入該凹槽中，并完全填充于第一電極和第二電極與遮擋罩之間；

固化流體狀透明材料完成封裝。

直接采用相互間隔設置的第一電極和第二電極，并將發光二極管芯片固定于第一電極開設的凹槽內。由于該凹槽和第一、第二電極間隔的通道相導通，可通過從通道向上注塑成型等多種方式對發光二極管封裝結構進行封裝。此制造方法工序少、簡單易行，且直接將發光二極管芯片固定在電極上，有利于散熱。

附圖說明

圖1為本發明第一實施方式的發光二極管封裝結構的剖視示意圖。

圖2為圖1中的發光二極管封裝結構的俯視示意圖。

圖3為本發明第二實施方式的發光二極管封裝結構的剖視示意圖。

圖4為本發明第三實施方式的發光二極管封裝結構的剖視示意圖。

圖5為圖4中的光發光二極管封裝結構的俯視示意圖。

圖6為本發明實施方式提供的發光二極管封裝結構的制造方法的流程圖。

圖7為本發明第三實施方式的發光二極管封裝結構的制造過程最后一步所得到的發光二極管封裝結構的剖視示意圖。

主要元件符號說明