[發明專利]一種提高晶閘管高電壓和大電流耐量的短基區結構及其生產方法

無效

• 申請號: 201110081666.0
• 申請日: 2011-04-01
• 公開（公告）號: CN102157547A
• 公開（公告）日: 2011-08-17
• 發明（設計）人: 周建;耿開遠;朱法揚;李建新
• 申請（專利權）人: 啟東吉萊電子有限公司
• 主分類號: H01L29/10
• 分類號: H01L29/10;H01L21/332
• 代理公司: 南京眾聯專利代理有限公司 32206
• 代理人: 盧海洋

1.一種提高晶閘管高電壓和大電流耐量的短基區結構，包括隔離穿通區和基片，所述基片位于隔離穿通區之間，其特征在于：所述隔離穿通區之間設有鎵短基區，所述鎵短基區表面還設有濃硼短基區，所述鎵短基區和濃硼短基區均設于隔離穿通區之間。

2.一種提高晶閘管高電壓和大電流耐量的短基區結構的生產方法，包括雙面拋光片步驟、氧化步驟、光刻穿通步驟、穿通擴散步驟、光刻陰極步驟和陰極擴散步驟，其特征在于：在穿通擴散步驟和光刻陰極步驟兩個步驟之間增加了短基區擴散步驟，所述短基區擴散步驟包括鎵預淀積和硼預淀積，所述鎵預淀積溫度T=1200±20℃，時間t=1.5h，濃度R_□=100-200Ω/□，再分布溫度T=1250±10℃，時間t=18-25h，結深?X_j=50-70μm，所述硼預淀積溫度T=1080±20℃，時間t=3h，濃度R_□=3-7Ω/□，再分布溫度T=1200±10℃，時間t=5h，結深?X_j=3-7μm。