[發明專利]薄膜光伏電池

無效

• 申請號: 201110081539.0
• 申請日: 2011-03-25
• 公開（公告）號: CN102201479A
• 公開（公告）日: 2011-09-28
• 發明（設計）人: G·卡納里昂;N·普利亞諾;C·R·斯曼達;李哉衡
• 申請（專利權）人: 羅門哈斯電子材料有限公司
• 主分類號: H01L31/06
• 分類號: H01L31/06;H01L31/072;H01L31/18
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 沙永生

1.一種薄膜光伏電池，其包括：

基片；

提供在所述基片上的后接觸件；

提供在所述后接觸件上的p-型半導體吸收層；

提供在所述p-型半導體吸收層上的n-型半導體層；

提供在所述n-型半導體層上的介電有機材料層；

提供在所述介電有機材料層上的透明導電膜；以及，

任選的，提供在所述透明導電膜上的減反射層。

2.如權利要求1所述的薄膜光伏電池，其特征在于，所述介電有機材料層包含硅倍半氧烷。

3.如權利要求2所述的薄膜光伏電池，其特征在于，所述介電有機材料層的平均厚度為10-150nm。

4.如權利要求1所述的薄膜光伏電池，其特征在于，所述基片是薄金屬箔或聚合物材料。

5.如權利要求2所述的薄膜光伏電池，其特征在于，所述后接觸件是鉬。

6.如權利要求2所述的薄膜光伏電池，其特征在于，所述p-型半導體吸收層包含選自CdTe以及化學式為Na_LCu_mIn_(1-d)Ga_dS_(2+e)(1-f)Se_(2+e)f的CIGS材料的p-型半導體吸收材料；其中0≤L≤0.75，0.25≤m≤1.5，0≤d≤1，-0.2≤e≤0.5，0＜f≤1；其中0.5≤(L+m)≤1.5，且1.8≤{(2+e)f+(2+e)(1-f)}≤2.5。

7.如權利要求6所述的薄膜光伏電池，其特征在于，所述n-型半導體層包含硫化鎘，平均厚度為10-150nm。

8.如權利要求7所述的薄膜光伏電池，其特征在于，所述透明導電膜包含鋁摻雜的氧化鋅，平均厚度為10-150nm。

9.如權利要求8所述的薄膜光伏電池，其特征在于，根據ASTME927-05，使用AM?1.5G光源模擬陽光，由電流-電壓曲線測得，所述薄膜太陽能電池的裝置效率≥9％。

10.一種用來制造薄膜光伏電池的方法，該方法包括：

提供基片；

提供后接觸件；

提供p-型半導體吸收層，其中所述后接觸件與所述p-型半導體吸收層電連接；

在所述p-型半導體吸收層上提供n-型半導體層；

提供介電有機材料層前體；

將所述介電有機材料層前體施加在所述n-型半導體層的表面上，在所述n-型半導體層的表面上形成介電有機材料層；以及，

在所述介電有機材料層上形成透明導電膜；以及，

任選地，提供與所述透明導電膜電接觸的前電極。